三星组建专业团队致力于开发4F² DRAM存储单元结构技术

5月26日消息，据韩国媒体The Elec报道，三星公司近日成立了一支专业团队，致力于开发一种名为4F² DRAM存储单元结构的创新技术。这项技术可以在不改变工艺节点的前提下，将芯片面积最高减少30%。

过去的十年里，DRAM行业曾尝试商业化4F Square单元结构技术，但未能取得成功。然而，三星此次组建的专业团队力求克服之前的难题，推动4F²结构的研发。

据小编了解，4F² DRAM存储单元结构的设计基于晶体管形成的源极(S)、栅极(G)和漏极(D)整套系统。在漏极(D)的上方安装了一个用于存储电荷的电容器，并且晶体管与水平排列的WL线和垂直排列的BL线相连。其中，WL线与栅极(G)相连，负责控制晶体管的开关;而BL线与源极(S)相连，负责读取和写入数据。

4F²技术最大的优势是它高度集成化和节省芯片空间的能力。相较于现有的6F²级别，该技术可在不改变工艺节点的情况下，将芯片面积最高减少30%。这对于提升芯片性能、实现更高容量的存储器以及满足不断增长的市场需求具有重要意义。

三星公司的专业团队将继续努力，加快4F² DRAM存储单元结构的研发进程。一旦成功商业化，这项技术有望为DRAM行业带来革命性的突破，推动存储器技术的发展迈上新的台阶。我们将持续关注这一领域的最新动态。

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