工信部擬進一步明確光電製造專案電耗需求，引導企業減少單純擴大產能的項目

本站 7 月 9 日消息，工信部今日發佈公告，對《光伏製造業規範條件（2024 年本）》《光伏製造業規範公告管理辦法（2024 年本）》（徵求意見稿）公開徵求意見。

《光伏製造業規範條件（2024 年本）》（徵求意見稿）中提到，

1. 引導光伏企業減少單純擴大產能的光伏製造項目，加強技術創新、提高產品品質、降低生產成本。新建及改擴建光電製造項目，最低資本額比為 30%。

2. 光伏製造專案耗能應符合以下要求：

• 現有多晶矽專案還原電耗小於46 千瓦時/ 公斤，綜合電耗小於60 千瓦時/ 公斤；新建與改建工程還原電擴建工程耗小於44 千瓦時/ 公斤，綜合電耗小於57 千瓦時/ 公斤。
• 現有矽錠項目平均綜合電耗小於7.5 千瓦時/ 公斤，新建和改擴建項目小於6.5 千瓦時/ 公斤；如採用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合電耗的增加幅度不得超過0.5 千瓦時/ 公斤。
• 現有矽棒工程平均綜合電耗小於 26 千瓦時 / 公斤，新建和改擴建項目小於 23 千瓦時 / 公斤。
• 現有多晶矽片項目平均綜合電耗小於25 萬千瓦時/ 百萬片，新建和改擴建項目小於20 萬千瓦時/ 百萬片；現有單晶矽片項目平均綜合電耗小於10 萬千瓦時/ 百萬片，新建和改擴建工程小於8 萬千瓦時/ 百萬片。
• P 型晶矽電池專案平均綜合電耗小於 5 萬千瓦時 / MWp，N 型晶矽電池專案平均綜合電耗小於 7 千萬瓦時 / MWp。
• 晶矽組件專案平均綜合電耗小於 2.5 萬千瓦時 / MWp，薄膜組件專案平均電耗小於 40 萬千瓦時 / MWp。

3. 新建和改擴建企業及專案產品應符合以下要求：

• 多晶矽滿足《電子級多晶矽》（GB /12963）3 級品以上要求或《流化床矽》 GB / T35307）特級品的要求。
• 多晶矽片（含準單晶矽片）少子壽命不低於2.5μs，碳、氧含量分別小於6ppma 和8ppma；P 型單晶矽片少子壽命不低於90μs，N 型單晶矽片少子壽命不低於1000μs，碳、氧含量分別小於1ppma 和12ppma，其中異質結電池用N 型單晶矽片少子壽命不低於700μs，碳、氧含量分別小於1ppma 和14ppma。
• 多晶矽電池、P 型單晶矽電池和 N 型單晶矽電池（雙面電池以正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於 21.7%、23.7% 和 26%。
• 多晶矽組件、P 型單晶矽組件和 N 型單晶矽組件（雙面組件以正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低於 19.7%、21.8% 和 23.1%。 CIGS、CdTe 及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低於 16%、16.5%、15%。

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