据最新消息，索尼正为下一代主机ps6研发一套全新冷却架构，将全面弃用当前ps5所采用的液态金属导热方案。
初代PlayStation 5在竖置摆放时曾暴露出运行温度过高、液态金属铺展不均等隐患。受重力影响，液态金属难以持续、均匀地覆盖APU表面，致使芯片与散热模组间接触阻抗增大，热传导效能降低；更严重的是，在长期高负载工况下，还存在微量渗漏的潜在风险。
为应对该问题，索尼在后续发布的PS5 Pro及轻薄版PlayStation Slim（型号CFI-2116）中对散热结构进行了针对性改进：于APU区域新增专用导流槽道，以优化液态金属的延展性与附着稳定性。但业内分析指出，液态金属材料本身在反复热胀冷缩过程中的迁移、氧化与界面退化等问题，仍属物理层面的固有缺陷，难以通过结构微调彻底根除。
一份已对外公布的索尼技术专利文件证实，PS6的热管理设计已迈入全新阶段——主机将彻底告别液态金属，转而启用基于相变传热原理的蒸发式主动冷却系统。该专利正式名称为“电子设备”（ELECTRONIC DEVICE）。
整套系统由密封回路、常规工质（如高纯度去离子水）及多根细长型棒状热管共同构成。热管内部采用烧结铜芯结构，支持工质高效循环。处理器热量经由导热基板导入热管，再通过密集排列的翅片散热器向外释放。
热管内部几何形态经过精密重构：融合锥形渐变段与轴向延伸段，兼顾横置与竖置两种安装姿态下的液体动态分布。该设计可确保工质在管内稳定流动，并在受热区域快速完成“液—气”相变，大幅强化瞬态散热响应能力与持续高负载下的热控冗余。
尤其在竖直放置场景中，热管延伸段可主动调控液面高度——其作为辅助储液腔，有效压低主循环区液位，从而扩大蒸发面积、提升相变速率。热管底部设有一段末端收窄的锥形过渡区，同时向外侧导热构件边缘延伸出一段加长段，二者协同优化蒸汽生成与冷凝回流路径。
专利文档进一步强调，热管周边预留了充足的缓冲空间，避免邻近元器件挤压或干涉，既保障热管结构完整性，也提升了整体冷却系统的鲁棒性与长期运行可靠性。这一布局显著增强了相变界面的稳定性，有效抑制热点形成，为PS6未来应对更高功耗芯片提供了坚实热管理基础。
