


According to news from this site on September 3, Korean media The Elec reported yesterday that Samsung is testing Tokyo Electron (TEL)’s Acrevia GCB gas cluster beam (this site’s note: Gas Cluster Beam) system. TEL's Acrevia GCB system was released on July 8 this year. It can locally and accurately shape EUV lithography patterns through gas cluster beams, thereby repairing pattern defects and reducing pattern roughness.
In addition, the Acrevia system can also be used to eliminate random errors, which account for about half of EUV lithography errors, and improve product yield.
TEL related sources said that potential customers are indeed testing the Acrevia system, and the device is expected to be used first in logic foundry rather than in the memory field.
Samsung Electronics has previously tested Applied Materials’ Centura Sculpta on the 4nm process, and now it is testing TEL’s equipment, aiming to strengthen competition for pattern shaping orders between the two major semiconductor equipment suppliers.
The above is the detailed content of Sources say Samsung Electronics is testing TEL's Acrevia GCB equipment to improve EUV lithography processes. For more information, please follow other related articles on the PHP Chinese website!

报道称,三星电子的高管DaeWooKim表示,在2024年韩国微电子和封装学会年会上,三星电子将完成采用16层混合键合HBM内存技术的验证。据悉,这项技术已通过技术验证。报道还称,此次技术验证将为未来若干年内的内存市场发展奠定基础。DaeWooKim表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存,该内存样品工作正常,未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。▲图源TheElec,下同相较现有键合工艺,混合键合无需在DRAM内存层间添加凸块,而是将上下两层直接铜对铜连接,

本站9月3日消息,韩媒etnews当地时间昨日报道称,三星电子和SK海力士的“类HBM式”堆叠结构移动内存产品将在2026年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源,计划将“类HBM内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,为端侧AI提供动力。综合本站此前报道,三星电子的此类产品叫做LPWideI/O内存,SK海力士则将这方面技术称为VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线,即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的LPWideI/O内存位宽达512

本站6月13日消息,三星电子在当地时间6月12日举行的三星代工论坛2024北美场上重申,其SF1.4工艺有望于2027年量产,回击了此前的媒体传闻。三星表示其1.4nm级工艺准备工作进展顺利,预计可于2027年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外,三星电子正在通过材料和结构方面的创新,积极研究后1.4nm时代的先进逻辑制程技术,实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认,其仍计划在2024下半年量产第二代3nm工艺SF3。而在更传统的FinFET晶体管部分,三星电子计划于2025年推出S

本站8月9日消息,韩媒《朝鲜日报》报道称,英特尔CEO帕特・基辛格将出席于当地时间2025年2月16日~20日在旧金山举行的下届IEEEISSCC国际固态电路会议,并将首度在ISSCC全体会议发布主题演讲。本站注:ISSCC2024全体会议演讲人包括台积电副共同营运长张晓强等;在ISSCC2023上,AMD首席执行官苏姿丰、imec首席战略官JoDeBoeck等发布了全会演讲。报道称,英特尔的全体会议演讲人主要在ISSCC会议上介绍CPU相关技术,但帕特・基辛格将于明年发布的演讲将聚焦英特尔的I

本站6月18日消息,三星半导体近日在技术博客介绍了搭载其目前最新QLC闪存(v7)的下一代数据中心级固态硬盘BM1743。▲三星QLC数据中心级固态硬盘BM1743根据TrendForce集邦咨询4月的说法,在QLC数据中心级固态硬盘领域,仅有深耕多年的三星和SK海力士旗下Solidigm在当时通过了企业客户验证。相较上代v5QLCV-NAND(本站注:三星v6V-NAND无QLC产品),三星v7QLCV-NAND闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍,存储密度也大幅提升。同时v7QLCV-NAND的顺

本站7月3日消息,据thelec报道,三星电子公布了2024年合作公司名单,这份名单占三星电子零部件采购额的80%以上,共有113家公司,其中新增11家公司,另有11家公司被剔除。在这份名单中,新增了天马(TianmaMicroelectronicsCo.,Ltd.)等公司,印度PanelOptodisplayTechnology公司也被列入,该公司是华星光电(CSOT)的印度子公司。不过即使一个特定年度的名单中不再包含某家公司,这并不意味着该公司与三星电子的交易关系会立即终止。例如,去年未包括

据《中国证券报》报道,三星电子近期已经释放2024年手机ODM订单,其中闻泰科技承接了超4000万部手机ODM订单,或重新成为三星电子最大的ODM供应商。ODM全称OriginalDesignManufacturer,指原始设计制造商。原始设计制造商是由采购方委托制造方提供从研发、设计到生产、后期维护的全部服务,而由采购方负责销售的生产方式。目前手机市场存在两种生产模式:一种是高端市场的自研模式,另外一种就是低端机型委外设计模式,也就是ODM/IDH生产模式,包括华为、三星、小米、OPPO、vi

本站7月31日消息,韩媒ZDNetKorea报道称,三星电子V9NAND闪存的QLC版本尚未获得量产许可,对平泽P4工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年4月宣布其V9NAND闪存的1Tb容量TLC版本实现量产,对应的QLC版本则将于今年下半年进入量产阶段。然而直到现在,三星电子并未对V9QLCNAND闪存下达PRA(本站注:应指ProductionReadinessApproval)量产就绪许可。而容量更高、成本更低的QLC闪存目前正是AI推理服务器存储需求的热点。明星产品前景不明,使得三


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