


- 2Tb QLC storage product
adopts the eighth generation BiCS FLASH 3D flash memory technology and has the highest capacity in the industry.
- Bit density and write energy efficiency improvement
Compared with the fifth generation QLC device, the bit density is increased by about 2.3 times, and the write energy efficiency is improved by about 70%.
- Compact package
Using a 16-chip stacked architecture, the size is 11.5 x 13.5 mm, the height is 1.5 mm, and the total capacity reaches 4 TB.
- CBA Technology
Uses CBA (CMOS Direct Binding to Array) technology to create higher density devices supporting 3.6Gbps interface speeds.
- Product line expansion
Introducing 1Tb QLC memory, specially designed for performance-sensitive applications, improving sequential write performance by approximately 30% and reducing read latency by approximately 15%.
The above is the detailed content of The highest capacity in the industry, Kioxia 2Tb QLC flash memory sample shipments: bit density increased 2.3 times compared to the fifth generation. For more information, please follow other related articles on the PHP Chinese website!

本站7月30日消息,美光当地时间今日宣布,其第九代(本站注:276层)3DTLCNAND闪存量产出货。美光表示其G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率(即3600MT/s闪存接口速率),较2400MT/s的现有竞品高出50%,能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。同时美光的G9NAND在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出99%和88%,这一NAND颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。此外,与前代美光NAND闪存一样,美光276

本站7月3日消息,根据韩媒TheElec报道,三星在其第9代V-NAND的“金属布线”(metalwiring)中首次尝试使用钼(Mo)。本站注:半导体制造过程中八大工艺分别为:晶圆制造氧化光刻刻蚀沉积金属布线测试封装金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体(CPU、GPU等),可以说是“为半导体注入了生命”。消息人士称三星公司已从LamResearch公司引进了五台Mo沉积机,此外还计划明年再引进20台设备。除三星电子外,SK海力士、美光和Kioxia等公司也在

本站6月18日消息,三星半导体近日在技术博客介绍了搭载其目前最新QLC闪存(v7)的下一代数据中心级固态硬盘BM1743。▲三星QLC数据中心级固态硬盘BM1743根据TrendForce集邦咨询4月的说法,在QLC数据中心级固态硬盘领域,仅有深耕多年的三星和SK海力士旗下Solidigm在当时通过了企业客户验证。相较上代v5QLCV-NAND(本站注:三星v6V-NAND无QLC产品),三星v7QLCV-NAND闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍,存储密度也大幅提升。同时v7QLCV-NAND的顺

根据TrendForce的调查报告显示,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响。在本站5月7日消息中,TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称该机构调升本季度两类存储产品的合约价格涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存方面,原预估上涨13~18%,新预估为15~20%,仅eMMC/UFS涨幅较低,为10%。▲图源TrendForce集邦咨询TrendForce表示,该机构原预计在连续

本站8月9日消息,根据SK海力士当地时间昨日发布的新闻稿,该企业在FMS2024峰会上展示了系列存储新品,其中就包括尚未正式发布规范的USF4.1通用闪存。根据JEDEC固态技术协会官网,目前已公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0。UFS4.0指定了每个设备至高46.4Gbps的理论接口速度,预计USF4.1将在传输速率方面进一步提升。▲JEDECUFS规范页面SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪

本站3月28日消息,据台媒DIGITIMES报道,长江存储在中国闪存市场峰会CFMS2024上表示采用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已实现4000次P/E的擦写寿命。本站注:不同于质保寿命,消费级原厂TLC固态硬盘在测试中普遍至少拥有3000次P/E级别的擦写寿命。▲图源中国闪存市场峰会CFMS官方,下同长江存储CTO霍宗亮表示,目前NAND闪存行业已度过了最艰难的2023年,今年将进入上升期,预计2023~2027年的闪存需求总量复合增长率可达21%,单台设备平均容量的复

根据国外媒体的报道,苹果将会在2026年发布的新iPhone手机上启用更大的存储设计,预计会是2TB。另外,消息称苹果将会使用QLCNAND闪存,原因可能是控制成本。1.存储容量的变化消息称,苹果可能在iPhone16上改变存储容量。不再使用三层单元(TLC)NAND闪存,而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元(QLC)NAND闪存。2.QLC闪存的优势与TLC相比,QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据。在使用相同数量的单元时,比TLC储存更多的数据,或者使用更少的单元储存更

本站7月31日消息,韩媒ZDNetKorea报道称,三星电子V9NAND闪存的QLC版本尚未获得量产许可,对平泽P4工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年4月宣布其V9NAND闪存的1Tb容量TLC版本实现量产,对应的QLC版本则将于今年下半年进入量产阶段。然而直到现在,三星电子并未对V9QLCNAND闪存下达PRA(本站注:应指ProductionReadinessApproval)量产就绪许可。而容量更高、成本更低的QLC闪存目前正是AI推理服务器存储需求的热点。明星产品前景不明,使得三


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