SK Hynix modernisiert das Werk in Wuxi, um DRAM-Produkte der vierten Generation auf den Markt zu bringen

Diese Seite berichtete am 16. Januar, dass SK Hynix laut den koreanischen Medien „Seoul Economic Daily“ plant, die Umgestaltung der Wuxi C2-Fabrik bis 2024 abzuschließen, Umstellung und Aufrüstung auf den D-RAM-Prozess der vierten Generation (1a). Der Prozess erreicht das 10-nm-Niveau.

Die Wuxi-Fabrik ist die Kernproduktionsbasis von SK hynix und macht etwa 40 % der gesamten D-RAM-Produktion aus. Die Fabrik produziert derzeit D-RAM der zweiten Generation (1y) und der dritten Generation (1z) auf der späten 10-Nanometer-Ebene, die zur alten Produktlinie gehört.

Nachrichten zufolge plant SK Hynix, einen Teil des D-RAM-Prozesses der vierten Generation in der Wuxi-Fabrik fertigzustellen, die Wafer zum Icheon-Campus seines Hauptsitzes in Südkorea zu transportieren und sie dann zurückzugeben nach Wuxi nach der EUV-Verarbeitungsfabrik.

Da nur eine D-RAM-Schicht des Produkts der vierten Generation EUV-Verarbeitung erfordert, ist das Unternehmen eindeutig davon überzeugt, dass sich die erhöhten Kosten lohnen.

Während des Fabrikbrandes in Wuxi im Jahr 2013 überwand das Unternehmen die Schwierigkeiten der Unterbrechung der D-RAM-Produktion und sammelte umfangreiche Erfahrungen.

Bezüglich der Prozesstransformation der Wuxi-Fabrik gab SK Hynix an, dass es den spezifischen Fabrikbetriebsplan des Unternehmens nicht bestätigen könne.

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