Micron veröffentlicht 1β DDR5 DRAM: Spitzengeschwindigkeit erreicht 7200 MT/s, Leistung deutlich verbessert

Micron veröffentlichte heute eine auffällige Neuigkeit und kündigte den weiteren Ausbau seiner 1β (1-Beta)-Prozessknotentechnologie und die Einführung eines neuen 16-GB-DDR5-Speicherprodukts an.

Laut Microns Ankündigung hat 1β DDR5 DRAM damit begonnen, auf Daten abzuzielen Zentren und PC-Benutzer. Die Spitzengeschwindigkeit dieses Speichers kann erstaunliche 7200 erreichen MT/s, was den Benutzern eine bessere Leistung und Effizienz bietet.

Nach dem Verständnis des Herausgebers verwendet dieser innovative DDR5-Speicher eine fortschrittliche CMOS-Gerätetechnologie mit hoher Dielektrizitätskonstante sowie eine 4-Phasen-Takt- und Taktsynchronisationstechnologie. Im Vergleich zum Produkt der vorherigen Generation wurde seine Leistung um 50 % und die Leistung pro Watt um 33 % verbessert. Dieser technologische Durchbruch macht 1β DDR5 DRAM zur idealen Wahl für Rechenzentrums- und Client-Anwendungen.

Diese neue 1β DDR5 DRAM-Produktlinie bietet Moduldichten von 4800 MT/s bis 7200 MT/s, um den unterschiedlichen Datenanforderungen von Center- und Client-Anwendungen gerecht zu werden.

Brian Callaway, Corporate Vice President der Core Computing Design Engineering Group von Micron, betonte die Bedeutung dieser Entwicklung. Er sagte: „Die Massenproduktion und Verfügbarkeit von 1β DDR5 DRAM stellt einen wichtigen Meilenstein für die Branche dar. Unsere enge Zusammenarbeit mit Ökosystempartnern und Kunden wird die Einführung dieser Hochleistungsspeicherprodukte beschleunigen

Darüber hinaus wird die 1β-Technologie von Micron eingesetzt.“ Unterstützt auch mehrere speicherbasierte Lösungen, einschließlich DDR5 mit 16-Gbit-, 24-Gbit- und 32-Gbit-DRAM-Chips RDIMM und MCRDIMM sowie LPDDR5X, HBM3E und GDDR7 mit 16-Gbit- und 24-Gbit-DRAM-Chips DDR5-Speicherprodukte werden über Direktvertrieb und Vertriebspartner verkauft, um den Benutzern mehr Auswahlmöglichkeiten zu bieten.

Nach der Demontage des iPhone 15 Pro stellte TechInsights fest, dass im Inneren der neueste D1β (D1b) LPDDR5 16Gb DRAM-Chip mit ultrahoher Dichte von Micron verwendet wird. Damit betritt Micron erstmals das D1β-Feld und leistet einen wichtigen Beitrag zur Verbesserung der Leistung mobiler Geräte

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