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Was ist die chinesische Bedeutung von DRAM-Speicher?

藏色散人
藏色散人Original
2020-02-06 17:36:2749106Durchsuche

Die chinesische Bedeutung von DRAM-Speicher ist dynamischer Direktzugriffsspeicher. Das Hauptfunktionsprinzip des DRAM-Speichers besteht darin, die darin gespeicherte Ladungsmenge zu nutzen Der Kondensator stellt dar, ob ein Binärbit 1 oder 1 0 ist.

Was ist die chinesische Bedeutung von DRAM-Speicher?

Die Betriebsumgebung dieses Tutorials: Windows 7-System, Dell G3-Computer.

Was ist die chinesische Bedeutung von DRAM-Speicher?

Die chinesische Bedeutung von DRAM-Speicher ist Dynamic Random Access Memory.

Der Direktzugriffsspeicher (RAM) ist in statischen Direktzugriffsspeicher und dynamischen Direktzugriffsspeicher unterteilt. Statischer Direktzugriffsspeicher: schnelle Lese- und Schreibgeschwindigkeit, hohe Produktionskosten, wird hauptsächlich für Cache-Speicher mit geringer Kapazität verwendet. Dynamischer Direktzugriffsspeicher: langsame Lese- und Schreibgeschwindigkeit, hochintegriert und hauptsächlich für Hauptspeicher mit größerer Kapazität verwendet.

DRAM-Einführung:

Dynamic Random Access Memory (DRAM) ist eine Art Halbleiterspeicher. Sein Hauptfunktionsprinzip besteht darin, Kondensatoren zum Speichern von Ladungen zu verwenden ob ein binäres Bit (Bit) 1 oder 0 ist. Da Transistoren in der Realität einen Leckstrom aufweisen, reicht die im Kondensator gespeicherte Ladungsmenge nicht aus, um die Daten korrekt zu identifizieren, was zu einer Datenverfälschung führt.

Daher ist regelmäßiges Aufladen eine unvermeidbare Voraussetzung für DRAM. Aufgrund dieser Eigenschaft, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordert, wird er als „dynamischer“ Speicher bezeichnet. Relativ gesehen verliert der statische Speicher (SRAM) keinen Speicher, selbst wenn er nicht aktualisiert wird, solange Daten gespeichert sind.

Im Vergleich zu SRAM liegt der Vorteil von DRAM in seiner einfachen Struktur – jedes Datenbit benötigt zur Verarbeitung nur einen Kondensator und einen Transistor, im Vergleich zu SRAM, das normalerweise sechs Transistoren pro Bit benötigt. Aus diesem Grund weist DRAM eine sehr hohe Dichte, eine hohe Kapazität pro Volumeneinheit und damit niedrige Kosten auf. Doch im Gegenteil, DRAM hat auch die Nachteile einer langsamen Zugriffsgeschwindigkeit und eines hohen Stromverbrauchs.

Wie die meisten Direktzugriffsspeicher (RAM) ist DRAM ein flüchtiges Speichergerät, da die darin gespeicherten Daten bald nach einem Stromausfall verschwinden.

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