三星发布功耗降低23%的12纳米DDR5 DRAM，助力能源节约

05月18日消息，三星今日宣布，他们已经开始大规模生产12纳米工艺的DDR5 DRAM芯片，这是在去年12月三星首次宣布开发16Gb DDR5 DRAM之后的重要进展。

据三星的新闻稿透露，新一代DDR5芯片相较于上一代，在功耗方面有着23%的降低，而晶圆生产率则提高了20%。新一代芯片比上一代更省电，同时单个晶圆可生产更多芯片，相应地提高了生产效能。

这款12纳米工艺的DDR5 DRAM芯片具备了7.2Gbps的最大速度，相当于每秒钟能够处理60GB的数据量。据ITBEAR科技资讯了解，这使得该芯片能够满足数据中心、人工智能以及新兴计算应用的需求。

三星表示，16Gb DDR5 DRAM的低功耗特性将使得服务器和数据中心运营商能够减少能源消耗和碳足迹。此外，该芯片采用了一种新型的高k材料，使得芯片能够准确区分数据信号的差异，从而实现了12纳米节点的制造。

这一系列的创新与突破将进一步巩固三星在存储芯片领域的领先地位。三星已经在量产12纳米工艺的DDR5 DRAM上迈出了重要一步，为数据处理的高速与高效提供了更加可靠和先进的解决方案。随着市场对存储需求的不断增长，三星的新一代DDR5 DRAM芯片将在数据中心和计算领域发挥重要作用，并为行业的进步做出贡献。

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