衝刺 1nm 過程，日本 Rapidus、東京大學與法國研究機構合作開發尖端半導體

根據《日本經濟新聞》報道，日本晶片製造商Rapidus和東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作，共同開發電路線寬為1奈米級的新一代半導體設計的基礎技術

報告稱，雙方將從明年開始展開人員交流、技術共享，法國研究機構Leti 將貢獻其在晶片元件方面的專業技術，以構建供應1nm 產品的基礎設施。

雙方的目標是確立設計開發線寬為 1.4nm-1nm 的半導體所需的基礎技術。製造 1nm 產品需要不同於傳統的電晶體結構，Leti 在該領域的成膜等關鍵技術上具備較為雄厚的實力。

與 2nm 相比，1nm 技術可將運算效能和效率提升 10-20%。 Rapidus 已與 IBM 和比利時研發集團 Imec 合作，以實現 2027 年量產 2nm 晶片的目標，預計 1nm 半導體最快在 2030 年代進入主流。同時，IBM 也考慮在 1nm 領域與 Rapidus 進行合作。

另據本站先前通報，荷蘭大型半導體製造設備廠商 ASML 將在 2024 年下半年前在日本北海道新建技術支援基地。 Rapidus 公司正力爭量產最先進半導體，ASML 將為 Rapidus 提供工廠建設和維護檢查等協助，到 2028 年前後將日本國內人員增加 40%。

廣告聲明：文內含有的對外跳轉連結（包括不限於超連結、二維碼、口令等形式），用於傳遞更多訊息，節省甄選時間，結果僅供參考，本站所有文章均包含本聲明。

以上是衝刺 1nm 過程，日本 Rapidus、東京大學與法國研究機構合作開發尖端半導體的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！