三星發布了速率為9.8Gbps的HBM3E內存樣品，計劃於2025年推出HBM4

本站10 月12 日消息，根據三星官方博客消息，面向高性能計算（HPC）的HBM 內存迎來新進展，將開發9.8Gbps 的HBM3E 產品，已開始向客戶提供樣品。

此外，HBM4 記憶體以 2025 年為目標正在開發中，為了適用於該產品，正在準備針對高溫熱特性優化的 NCF 組裝技術和 HCB 技術。

本站註：NCF（Non-conductive Film，非導電薄膜）：用於保護積層晶片之間的固態接頭（Solder joint）免受絕緣和機械衝擊的聚合物層（Polymer layer ）。

HCB（混合黏接）是一種新一代的黏接技術，它採用銅（導體）和氧化膜（絕緣體）進行黏接，而不是傳統的焊接方式

今年年初，三星AVP（高級封裝）業務團隊成立，以加強尖端封裝技術並最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。 三星計劃與 HBM 一起提供尖端客製化封裝服務，包括 2.5 維和 3 維尖端封裝解決方案。

三星表示，用於人工智慧服務的高階中央處理器需要擁有100個以上的核心，並且每個核心都需要具備足夠的記憶體。此外，為了在有限的封裝空間中加載更多容量，最小化動態隨機存取記憶體（DRAM）單晶片的尺寸的製程技術，以及在外形尺寸內正確放置組件並確保按照規格運行的設計技術也非常重要

三星上個月發布了32Gb DDR5 DRAM記憶體。透過相同封裝尺寸的架構改進，實現了16Gb DRAM容量的兩倍，無需使用TSV製程即可製造128GB模組。三星表示，這項創新使得成本降低、生產率提高成為可能，同時功耗也降低了10%

TSV（Through Silicon Via，矽通孔）：一種封裝技術，可以使晶片變薄，鑽出數百個小孔，並連接垂直穿過頂部和底部晶片中的孔的電極。

三星官方在部落格最後表示，未來將繼續克服技術限制，開發出多種世界上前所未有的記憶體解決方案產品。 特別是三星計畫基於 10 奈米以下工藝，開發 AI 時代的超高性能、超高容量、超低功耗的記憶體產品，並號稱「將是 DRAM 市場的一個重大拐點」。

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