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東芝推出新款12V共漏極N通道MOSFET 輔助行動裝置電池保護

王林
王林轉載
2023-05-21 11:43:571368瀏覽

5月18日消息,東芝電子元件及儲存裝置株式會社(以下簡稱"東芝")在今日宣布推出一款名為"SSM14N956L"的新型電子裝置。此元件為一款12V共漏極N通道MOSFET,額定電流為20A,主要應用於行動裝置鋰離子電池組的電池保護電路。該產品從今日起開始提供批量出貨。

东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护

必須使用高度穩定的保護電路來提高鋰離子電池組的安全性。 These circuits require characteristics of low power consumption and high-density packaging, demanding MOSFETs to be compact and thin with even lower drain-source on-resistance.。

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SSM14N956L與先前發表的SSM10N954L採用相同的技術,均採用了東芝自家專利的微加工製程。該設備透過業界領先的低導通電阻特性實現了低功耗,並透過業界領先的低柵源漏電流特性降低了待機功耗。這些特性有助於延長電池的使用時間。此外,新產品還採用了一種名為TCSPED-302701的新型小巧纖薄封裝(尺寸為2.74mm×3.0mm,厚度約為0.085mm)。

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根據ITBEAR科技資訊了解,東芝的新型電子裝置SSM14N956L將為行動裝置鋰離子電池組的保護電路提供更可靠且高效的解決方案。低功耗和高密度封裝使得電池組在充放電時產生的熱量減小,從而進一步提高了電池組的安全性能。該產品不僅在導通電阻和待機功耗方面達到了行業領先水平,還為行動裝置的設計帶來了更多的靈活性。用戶對長時間續航和安全性的需求將得到滿足,因為東芝的技術創新將進一步推動行動裝置電池技術的發展。

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