SK 海力士計畫 2026 年首次導入 ASML High NA EUV 微影機

本站8 月19 日消息，據韓媒ZDNet Korea 報道，SK 海力士EUV 材料技術人員當地時間本月12 日出席技術會議時向媒體表示，該企業計劃於2026 年首次導入ASML 的High NA EUV 光刻機。 SK 海力士的一位工程師表示該公司新近成立了一個 High NA EUV 研發團隊，正致力於將 High NA EUV 光刻技術應用到最先進 DRAM 記憶體的生產上。

綜合本站已有報道，在幾大先進邏輯流程與儲存半導體企業中，

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英特爾>已率先拿下了全球第一台商用High NA EUV 光刻機

第二台High NA 機台已在運至俄勒岡州研發晶圓廠的途中台積電：第一台High NA EUV 光刻機預計於2024 年內交貨三星：三星：三星： 第一台High NA EUV 光刻機預計於2024 年第四季至2025 年一季度交貨

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