消息指出三星電子確認平澤 P4 廠 1c nm DRAM 記憶體產線投資，目標明年 6 月投運

本站 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 快閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 記憶體。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了第二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 記憶體生產。

▲ 三星平澤廠區根據本站先前報導，三星電子考慮在明年下半年推出的HBM4 內存上使用1c nm DRAM 裸片，以更先進的DRAM 製程提升HBM4 產品的能效競爭力，追趕HBM領域領先者SK 海力士。
考慮到 HBM 內存對 DRAM 晶圓的消耗量遠高於傳統內存，平澤 P4 建設 1c nm DRAM 產線也是在為 HBM4 的生產需求做好準備。

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