訊息指三星電子 2nm 製程 EUV 曝光層數增加 30% 以上，未來 SF1.4 節點可望超 30 層

本站7 月23 日消息，韓媒The Elec 本月17 日報道稱，三星電子預計於明年推出的2nm 先進製程將較現有3nm 製程增加30% 以上的EUV 曝光層數，達「20~ 30 的中後半段」。韓媒在報道中提到，根據產品性質的不同，即使同一節點曝光層數量也並非完全固定。不過整體來說，三星電子 3nm 製程的平均 EUV 曝光層數量僅為 20 層；而在預計於 2027 年量產的 SF1.4 製程中，EUV 曝光層的數量有望超越 30 層。

▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 微影機 NXE:3800E隨著先進製程的演進，對電晶體尺寸的要求逐漸嚴苛。而在曝光層中以 EUV 微影取代傳統 DUV，可實現更高微影精度，進一步提升電晶體密度，在單位面積中容納更多的積體電路。
在此背景下，先進邏輯代工企業積極購入 ASML 的 EUV 機器。
以台積電為例，根據本站先前報道，其今明兩年將總共接收超 60 台 EUV 光刻機。韓媒預估台積電到 2025 年底將擁有超 160 台 EUV 光刻機。
此外DRAM 記憶體產業的EUV 光刻用量也在提升：
在第六代20~10nm 級製程（即1c nm、1γ nm）上，三星電子使用了6~7 個EUV 層，SK 海力士使用了5 個EUV 層，美光也在此節點首次導入了EUV 微影。

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