本站7 月22 日消息,據外媒Tomshardware 報道,中國3D NAND 閃存製造商長江存儲,日前再次將美光告上法院,在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的11 項專利,涉及3D NAND Flash 和DRAM 產品。長江儲存還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的儲存產品,並支付專利使用費。 長江儲存指控稱,美光的: 96 層(B27A) 128 層(B37R) 176 層(B47R)一些DDR5 SDRAM 產品(Y2BM 系列),侵害了長江儲存於美國提交的11 項專利或專利申請。 2023 年 11 月,長江儲存就曾在美起訴美光專利侵權,涉 8 項專利;2024 年 6 月,長江存放在美起訴美光資助的諮詢公司,指控其散佈虛假資訊。如今長江儲存再次“亮劍”,本站將跟進後續訴訟消息。