首頁  >  文章  >  科技週邊  >  報告稱三星於華城 17 號產線量產 HBM3 內存,平澤 P4 產線全部轉向 DRAM 生產以彌補供應短缺

報告稱三星於華城 17 號產線量產 HBM3 內存,平澤 P4 產線全部轉向 DRAM 生產以彌補供應短缺

WBOY
WBOY原創
2024-07-22 08:19:081026瀏覽

本站 7 月 21 日消息,繼消息稱三星預計今年第 3 季開始向英偉達出貨後,韓媒 sedaily 報道三星開始已在華城 17 號產線量產並向英偉達供應 HBM3 內存。

报道称三星于华城 17 号产线量产 HBM3 内存,平泽 P4 产线全部转向 DRAM 生产以弥补供应短缺

此外,為彌補 HBM 供應造成的通用 DRAM 記憶體供應短缺,平澤 P4 工廠轉為 DRAM 專用生產線。

本站先前報道,三星平澤 P4 工廠的代工業務已暫緩建設。韓媒稱 NAND 快閃產線也沒有進一步投資的計畫。

業內人士稱:

目前,P4 是三星(韓國)國內業務中唯一可以增加 DRAM 產能的空間。該公司已經制定了計劃,在可以增加半導體產能的空間首先投資 DRAM。

以上是報告稱三星於華城 17 號產線量產 HBM3 內存,平澤 P4 產線全部轉向 DRAM 生產以彌補供應短缺的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!

陳述:
本文內容由網友自願投稿,版權歸原作者所有。本站不承擔相應的法律責任。如發現涉嫌抄襲或侵權的內容,請聯絡admin@php.cn