三星第 9 代 V-NAND 金屬佈線量產製程曝光首次使用鉬技術

本站 7 月 3 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金屬佈線”（metal wiring）中首次嘗試使用鉬（Mo）。

本站註：半導體製造過程中八大製程分別為：

1. 晶圓製造
2. 氧化
3. 光刻
4. 刻布
含
5. 金屬佈線製程主要是使用不同的方式連接數十億個電子元件，形成不同的半導體（CPU、GPU 等），可以說是「為半導體注入了生命」。
6. 消息人士稱
三星公司已從 Lam Research 公司引進了五台 Mo 沉積機，此外還計劃明年再引進 20 台設備。
8. 除三星電子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也正在考慮使用鉬。和現有NAND 製程所使用的六氟化鎢（WF6）不同，鉬前驅體（molybdenum precursor）是固態，必須在600℃ 的高溫下才能昇華直接轉化為氣態，而這個過程需要單獨的沉積設備。

三星今年 5 月報道，已經啟動了首批第九代 V-NAND 快閃記憶體量產，位元密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%。

第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 快閃記憶體介面“Toggle 5.1”，可將資料輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 千兆位元（Gbps）。除了這個新接口，三星還計劃透過擴大對 PCIe 5.0 的支援來鞏固其在高效能固態硬碟市場的地位。

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