SK Hynix membangunkan memori HBM3E baharu: digunakan dalam industri AI

DoNews News pada 21 Ogos, SK Hynix mengumumkan pada 21hb bahawa ia telah berjaya membangunkan produk DRAM berprestasi ultra tinggi baharu untuk kecerdasan buatan, HBM3E, dan telah mula menyediakan sampel kepada pelanggan untuk pengesahan prestasi

HBM (Memori Lebar Jalur Tinggi) merujuk kepada peningkatan kelajuan pemprosesan data dengan ketara dengan menyambungkan berbilang DRAM secara menegak. Produk HBM DRAM dibahagikan kepada HBM (generasi pertama), HBM2 (generasi kedua), HBM2E (generasi ketiga), HBM3 (generasi keempat) dan HBM3E (generasi kelima) mengikut urutan. HBM3E ialah versi lanjutan HBM3

SK Hynix berkata bahawa produk baharu itu boleh memproses sehingga 1.15TB (terabait) data sesaat. Ini bersamaan dengan 230 filem HD Penuh (FHD) (5 gigabait, 5GB) dalam 1 saat. Pengeluaran besar-besaran HBM3E akan bermula pada separuh pertama 2024.

Pasukan teknikal SK Hynix menggunakan teknologi MR-MUF Lanjutan terkini pada produk ini, yang meningkatkan prestasi pelesapan haba sebanyak 10% berbanding generasi sebelumnya. Selain itu, HBM3E juga mempunyai keserasian ke belakang, yang bermaksud bahawa apabila pelanggan menggunakan sistem yang dibina berdasarkan HBM3, mereka boleh terus menggunakan produk baharu tanpa mengubah reka bentuk atau struktur

Dilaporkan bahawa produk baharu itu akan digunakan dalam produk pengkomputeran AI generasi baharu NVIDIA.

Atas ialah kandungan terperinci SK Hynix membangunkan memori HBM3E baharu: digunakan dalam industri AI. Untuk maklumat lanjut, sila ikut artikel berkaitan lain di laman web China PHP!