소식통에 따르면 SK하이닉스의 5단 적층 3D D램 메모리 수율은 56.1%에 달했다.

24일 본 홈페이지 소식에 따르면 국내 언론 비즈니스코리아는 SK하이닉스가 지난 6월 16일부터 20일까지 미국 하와이에서 열린 VLSI 2024 서밋에서 3D D램 기술에 관한 최신 연구 논문을 발표했다는 사실이 업계 관계자에 의해 밝혀졌다고 보도했다.

본 논문에서 SK하이닉스는 5단 적층 3D DRAM 메모리 수율이 56.1%에 이르렀다고 보고합니다. 실험에서 3D DRAM은 현재의 2D DRAM과 유사한 특성을 나타냅니다.

보도에 따르면 메모리 셀을 수평으로 배열하는 기존 DRAM과 달리 3D DRAM은 셀을 수직으로 쌓아 같은 공간에서 더 높은 밀도를 구현한다고 합니다.

그러나 SK하이닉스는 2DDRAM의 안정적인 동작과 달리 3DDRAM은 불안정한 성능 특성을 보이며, 범용 적용을 위해서는 메모리 셀을 32~192단으로 쌓아야 한다고 지적했습니다.

본 사이트에서는 삼성전자가 16단 적층형 3D D램을 개발 중이라는 사실을 주목하고 올해 3월 멤콘 2024 전시회에서 2030년경 3D D램 제품을 상용화할 계획이라고 발표했다.

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