SKハイニックス、321層フラッシュメモリを発売、ストレージ効率を向上させ新時代をリード

韓国の半導体大手 SK ハイニックスは、8 月 9 日に大きな進歩を発表し、新しい 321 層 1Tb TLC NAND フラッシュ メモリのリリースに成功し、300 層を超える NAND フラッシュ メモリを正式に開発した世界初の企業となりました

SK Hynix は NAND フラッシュ メモリの分野で大きな進歩を遂げています。その画期的な技術成果は 321 層 1Tb TLC NAND です。前世代の 238 層 512Gb NAND と比較して、効率は驚くほど向上しました。 59%。各チップ内のメモリセルの数と層を増やすことで、SK Hynix はより大きな記憶容量を達成することに成功しました。これは、単一チップの記憶容量を増やすだけでなく、各ウェハ上のチップの歩留まりも効果的に向上させることに成功しました

SKハイニックスは、市場に大容量かつ高効率のストレージソリューションを提供するため、この321層1Tb TLC NANDフラッシュメモリの量産を2025年上半期に開始する計画だ。

編集者の理解によると、SK ハイニックスは画期的な 321 層 1Tb TLC NAND フラッシュ メモリの発売に加えて、さまざまなニーズを満たす次世代 NAND 製品も発売しました。 。このうち、エンタープライズ クラスのソリッド ステート ドライブ (eSSD) は、PCIe 5 (Gen5) インターフェイスを採用し、エンタープライズ クラスのユーザーに高速なデータ転送機能を提供します。 SKハイニックスは、モバイル機器の分野でも、携帯電話やその他の機器に高速フラッシュストレージの性能をもたらすUFS 4.0のハイライトを導入し、既存技術の改善を継続し、積極的に投資すると述べた。研究開発: 将来の市場ニーズに適応する PCIe 6.0 および UFS 5.0 製品を含む、業界の発展をリードする製品世代。これらの革新的な取り組みは、半導体分野におけるSKハイニックスのリーダー的地位をさらに強化し、世界の科学技術の発展に重要な貢献をするでしょう。

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