DRAM メモリの中国語の意味はダイナミック ランダム アクセス メモリです。ランダム アクセス メモリはスタティック ランダム アクセス メモリとダイナミック ランダム アクセス メモリに分けられます。DRAM メモリの主な原理は、メモリに蓄積された電荷量を使用することです。バイナリ ビットが 1 か 1 0 かを表すコンデンサ。
このチュートリアルの動作環境: Windows 7 システム、Dell G3 コンピューター。
DRAM メモリの中国語の意味は何ですか?
DRAM メモリの中国語の意味は ダイナミック ランダム アクセス メモリです。
ランダム アクセス メモリ (RAM) は、スタティック ランダム アクセス メモリとダイナミック ランダム アクセス メモリに分けられます。スタティック ランダム アクセス メモリ: 読み取りおよび書き込み速度が速く、製造コストが高く、主に小容量のキャッシュ メモリに使用されます。ダイナミック ランダム アクセス メモリ: 読み取りおよび書き込み速度が遅く、高度に統合され、主に大容量のメイン メモリとして使用されます。
DRAM の紹介:
ダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) は半導体メモリであり、その主な原理はコンデンサを使用して電荷を蓄積することです。ビット数はビット数を表します。 2 進数のビット (bit) が 1 か 0 か。実際にはトランジスタにはリーク電流があるため、コンデンサに蓄積された電荷の量ではデータを正確に判断するのに十分ではなく、データの破損が発生します。
したがって、DRAM にとって定期的な充電は避けられない要件です。定期的なリフレッシュを必要とするこの特性のため、これは「動的」メモリと呼ばれます。比較的言えば、スタティック メモリ (SRAM) にデータが保存されている限り、リフレッシュされなくてもメモリが失われることはありません。
SRAM と比較した場合、DRAM の利点は構造がシンプルであることです。SRAM では通常 1 ビットあたり 6 個のトランジスタが必要ですが、データの各ビットの処理には 1 つのコンデンサと 1 つのトランジスタだけが必要です。このため、DRAM は非常に高密度で単位体積あたりの容量が大きく、したがって低コストになります。しかしその反面、DRAMにはアクセス速度が遅く、消費電力が大きいというデメリットもあります。
ほとんどのランダム アクセス メモリ (RAM) と同様、DRAM は揮発性メモリ デバイスであり、電源を切るとすぐにそこに保存されているデータが消えてしまいます。
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