ニュースによると、Samsung Electronicsの2nmプロセスのEUV露光層の数は30%以上増加し、SF1.4ノードは将来的には30層を超えると予想されています。

7月23日の当ウェブサイトのニュースによると、韓国メディアThe Elecは今月17日、サムスン電子が来年発売予定の2nm先端プロセスではEUV露光層の数が従来に比べて30%以上増加すると報じた。既存の3nmプロセスは「20～30の中後半」に達する。韓国メディアはレポートの中で、製品の性質によっては、同じノードでの露出層の数さえも完全には固定されていないと述べています。しかし、全体として、サムスン電子の3nmプロセスにおけるEUV露光層の平均層数はわずか20層であり、2027年に量産されると予想されるSF1.4プロセスでは、EUV露光層の数は30層を超えると予想されている。層。

▲ ASML の新世代 0.33NA EUV リソグラフィー装置 NXE:3800E 先端プロセスの進化に伴い、トランジスタサイズの要件はますます厳しくなっています。 EUV リソグラフィを使用して露光層の従来の DUV を置き換えると、リソグラフィの精度が向上し、トランジスタ密度がさらに向上し、単位面積あたりにより多くの集積回路を収容できるようになります。
これに関連して、先進的なロジックファウンドリ企業は ASML の EUV マシンを積極的に購入しています。
TSMC を例に挙げると、このサイトの以前のレポートによると、今年と来年には合計 60 台以上の EUV リソグラフィー マシンが導入される予定です。韓国メディアは、TSMCが2025年末までに160台以上のEUVリソグラフィー装置を保有すると推定している。
さらに、DRAMメモリ業界におけるEUVリソグラフィーの使用も増加しています:
第6世代の20~10nmレベルのプロセス(すなわち、1c nm、1γ nm)では、Samsung Electronicsは6~7のEUV層を使用し、SK Hynixは5 EUV 層、マイクロンはこのノードで初めて EUV リソグラフィーも導入しました。

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