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当前，功率半导体产业正呈现出一种表面矛盾实则深刻的行业图景：一方面，SiC产能阶段性承压、衬底价格下行、部分厂商面临盈利压力；另一方面，英飞凌、芯联集成、意法半导体、安森美等头部企业持续加码投资，MOSFET、IGBT甚至出现提价迹象。
这并非市场判断失准，而是功率半导体已迈入全新结构性周期：低端产能趋于饱和，高端有效供给仍显紧缺；汽车需求节奏调整，AI算力与新型电网需求加速接棒；竞争维度正从单颗芯片性能比拼，跃升至系统级交付能力的全面较量。
新能源车仍是基本盘
过去数年，新能源汽车是驱动功率半导体增长的核心引擎。尽管增速有所放缓，但该需求并未减弱，只是逻辑发生转变——由“规模扩张”转向“技术升级”。
在400V电压平台阶段，硅基IGBT尚能满足主流车型需求；而当800V乃至1000V成为中高端车型标配快充的关键卖点时，SiC MOSFET已不再是可选的性能增强件，而是决定整车能效表现与用户充电体验的底层基础设施。
国际能源署（IEA）《Global EV Outlook 2026》数据显示：2025年全球电动车销量将突破2000万辆，占新车总销量约25%；2026年预计达2300万辆，占比提升至28%。值得注意的是，IEA指出，2025年已有首批1000V平台车型量产落地；虽目前支持250kW以上超充的车辆存量占比不足5%，但随着兆瓦级充电网络加速铺开，其销量正快速攀升。
整车端依然是功率器件最坚实的基本盘。
Yole研究亦印证这一趋势：未来几年，汽车仍将主导SiC功率器件增长曲线，其中800V纯电平台将成为关键拉动因素；与此同时，AI数据中心、可再生能源发电及并网设备正成为新兴增长极。
这也解释了为何行业呈现“看似割裂”的现实：SiC部分环节进入调整期，但8英寸SiC晶圆却热度不减；通用型器件供应充足，而符合车规级认证、具备高可靠性与长期供货能力的高端产品依然供不应求；整体扩产动作频繁，但真正通过客户验证、稳定量产、并成功导入主驱系统或AI电源架构的有效产能，依旧稀缺。
被AI重新点燃的功率器件周期
如果说新能源汽车曾是功率半导体过去十年的最大叙事主线，那么自2026年起，一个不可忽视的新变量正在强势崛起：AI数据中心。
此前AI领域关注焦点集中于GPU、HBM、先进封装、光模块与交换芯片。但随着AI集群规模持续扩大，问题开始下沉至更基础层面：电力如何高效输入机房？如何精准分配至机柜？如何低损耗输送至服务器？又如何以更高效率为GPU持续供能？
此时，功率器件已不再只是电源系统中的普通元件，而成为支撑AI基础设施持续扩张的物理基石。
AI算力越强，对供电效率、功率密度及热管理的要求就越严苛。传统服务器电源可在相对平稳的负载区间运行，而AI服务器负载波动剧烈、机柜功率密度显著提升，电源系统必须兼具更高转换效率、更小体积尺寸与更强运行稳定性。
近期多项关于下一代AI数据中心供电架构的研究均指出：AI负载正推高电力需求峰值、瞬态电流强度及散热压力，并暴露出既有48V机柜配电架构、低压交流供电方式以及工频变压器接口的技术瓶颈。
因此，AI对功率半导体的拉动，并非简单增加几颗MOSFET或PMIC。它或将重塑整个数据中心的电力输送体系。
从服务器级AC-DC电源，到机柜级高压DC-DC模块，再到数据中心级中压直流输配、固态变压器、高压DC/DC变换器——功率半导体正从“电子系统的配套组件”，转变为“AI基础设施能否持续扩容的核心约束条件”。
这也是今年以来MOSFET、IGBT、PMIC等品类重拾涨价预期的根本动因。据财联社报道，AI数据中心爆发式需求挤占8英寸成熟制程产能，单台AI服务器对高压MOSFET、电源管理类MOSFET的需求量大幅提升，加剧了8英寸晶圆代工资源紧张；新洁能、捷捷微电、芯联集成等厂商均已启动不同程度的价格调整。
功率半导体的故事，由此被再度打开。
曾经它是新能源汽车供应链的一环；如今，它正成为AI、汽车、储能、智能电网与工业电源共同争夺的战略性基础产能。
全球龙头的防守反击
在此背景下，一批国际功率半导体领军企业正加快产能布局节奏。
2026年7月2日，英飞凌举行盛大仪式，宣布其史上最大单笔投资项目——德国德累斯顿Smart Power Fab正式提速投产。该项目总投资高达50亿欧元，获得欧盟芯片法案框架下德国政府近9.2亿欧元补贴支持。建成后，德累斯顿基地的300mm功率半导体及模拟/混合信号芯片产能将实现翻倍，跃升为全球规模最大的智能功率器件与模拟芯片制造中心。
同时，面对AI订单激增，英飞凌年内追加预算投入。在其最新财报与市场沟通中，英飞凌大中华区及全球高管透露：由于适配NVIDIA下一代GB300等AI服务器架构的电源组件需求远超预期，公司AI相关业务营收预计将在2026财年达15亿欧元（2025财年为7亿欧元），2027财年将进一步跃升至25亿欧元。
此外，英飞凌同步推进组织架构升级。自2026财年第四季度起，原四大事业部——汽车电子（ATV）、绿色工业功率（GIP）、功率与传感系统（PSS）、互联安全系统（CSS）——整合为三大新事业部：Automotive、Power Systems 和 Edge Systems。其中，全新设立的Power Systems部门将统筹AI数据中心电源、智能电网基础设施、工业自动化、通信设备等非汽车类功率业务。此举表明，英飞凌正将功率半导体从传统应用范畴中进一步抽象提炼，构建面向AI、能源转型与数字基建的独立增长平台。
意法半导体则在意大利卡塔尼亚建设一体化200mm SiC制造基地，总投资预计达50亿欧元，获意大利政府约20亿欧元资助；项目计划2026年启动量产，2033年满产后周产能可达1.5万片晶圆。
安森美亦在捷克推进端到端SiC制造体系建设，拟开展为期多年的最高20亿美元投资，覆盖硅与碳化硅晶圆制造、抛光、外延等全链条环节。
上述动作清晰传递出一个信号：全球功率龙头并未因SiC短期供需错配而放缓脚步，反而坚定押注先进功率器件与第三代半导体。过去，汽车是其功率业务的核心叙事；如今，AI数据中心、新型电网、电源基础设施的重要性正快速上升。它们所瞄准的，不是某一季度的新能源车销量数据，而是未来十年全球能源系统电气化、数字化与高压化的长期演进路径。
2026年上半年，英飞凌、TI、意法等全球逾20家功率巨头因AI与电网需求叠加导致产能告急，分别于4月1日和7月1日掀起两轮“涨价潮”（部分AI专用电源组件交期延长至40周，涨幅显著）。
本土功率半导体，进入有效产能建设期
再观国内，中国坐拥全球最大新能源汽车市场、迭代最快的AI硬件生态、规模庞大的光伏与储能产业链，以及快速成长的机器人与工业自动化应用场景。
这些领域共有的特征是：高度动态演进。中国车企一年多次改款，800V平台加速向主流车型下探；AI服务器与智算中心电源架构仍在持续优化；储能PCS、直流快充桩、机器人执行器及工业电源均在追求更高效率、更小体积与更具竞争力的成本结构。
这对本土功率半导体厂商而言，既是绝佳窗口期，也提出了更高要求——不再仅满足于“国产替代一颗芯片”，更要深度参与客户定义、快速完成车规/AI级验证、灵活适配封装与模块方案、并持续压缩综合成本。
6月11日，芯联集成发布公告称，拟联合相关方在绍兴市共建一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片产线。作为公司四期项目，总投资约200亿元，其中芯联集成出资30.12亿元，持股25.1%。
可见，芯联集成的发展路径已超越单一器件制造，正朝“系统级代工平台”演进：涵盖8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸SiC、高压BCD工艺、MEMS、模组封装、应用验证及可靠性测试等全环节能力。公司管理层此前提出三条核心增长曲线：硅基功率器件、SiC MOSFET芯片及模组、高压大功率BCD模拟IC，并预计2026年营收将突破100亿元。
据芯联集成披露，截至2025年，公司已完成8英寸硅基、12英寸硅基、6/8英寸碳化硅三大产线建设；其中8英寸硅基月产能达17万片，12英寸硅基月产能为3万片，6英寸SiC MOSFET月产能为8000片。公司还表示，2026年8英寸硅基与6英寸SiC产能利用率有望维持在90%以上，12英寸硅基产能利用率预计将达80%以上。
芯联集成收购芯联越州亦具重要产业意义：通过全资控股后者，公司可统一调度母公司10万片/月与芯联越州7万片/月的8英寸硅基产能，重点支撑SiC MOSFET、高压模拟IC等高附加值业务发展。
芯联集成并非个例，国内功率半导体企业正集体步入“有效产能建设期”。
士兰集宏规划总投资120亿元建设8英寸SiC功率器件芯片项目，分两期实施；一期投资70亿元，设计年产42万片（月产3.5万片），已于2026年1月4日通线，2026—2028年持续爬坡，预计2029年达产；二期将新增年产30万片（月产2.5万片）产能，最终形成合计月产6万片8英寸SiC能力。
据时代电气2026年3月投资者关系活动记录显示，2025年公司半导体子公司实现营收55.32亿元，同比增长26.72%；其中IGBT业务收入48.53亿元，同比增长29.88%。公司指出，宜兴产线自2025年6月底芯片线满产后持续满载运营；另据2026年6月投资者互动信息，时代电气三期株洲SiC产线已于2025年底投产，目前处于产能爬坡阶段，车规级SiC产品已实现小批量交付。
扬杰科技在2025年年报中披露，首条SiC车规级功率半导体模块封装线已建成并投产。2026年4月投资者关系活动中，公司进一步表示，8英寸晶圆项目、车规级功率芯片制造项目等核心工程预计将于2026年下半年陆续投产；同时明确将汽车电子、AI数据中心及储能列为战略重点方向。
晶盛机电2026年5月投资者关系记录显示，其子公司浙江晶瑞电子材料正加速推进年产60万片8英寸SiC衬底项目建设，并启动新一期基础设施扩建；马来西亚8英寸碳化硅衬底工厂预计2026年底通线投产。
天岳先进方面，2026年3月公开报道显示，公司早在2024年即提出96万片产能建设计划并分步实施，目前已建立稳定的8英寸SiC衬底大规模供应体系，并与全球头部功率器件厂商保持长期战略合作。
天科合达亦在IPO相关材料中披露，已实现2英寸至8英寸SiC衬底规模化量产，并成功研发12英寸SiC衬底样品。
上述动作背后，不只是单纯扩产，更是平台能力的整体补强。长期以来，中国功率半导体面临“单点突破易、系统能力弱”的结构性短板。而今，在新能源车、AI服务器、机器人、储能、光伏逆变器、直流快充桩等多元场景驱动下，厂商正被倒逼从“卖一颗芯片”向“提供一套经充分验证的电力电子解决方案”跃迁。
产业矛盾：一边过剩，一边涨价
本轮功率半导体周期中最易误读之处，便是将“扩产”简单等同于“行业景气”。
事实上，并非所有细分环节都处于上行通道。
TrendForce在2026年全球SiC功率器件报告中指出，SiC行业正进入为期2—3年的产能消化期。前期需求集中释放后叠加短期波动，产业正由技术驱动阶段转向成本驱动阶段，中低端车型将成为SiC渗透率提升的关键突破口。
SiC已告别“唯性能论高价”的粗放阶段。后续能否真正下沉至主流车型，取决于全产业链能否协同降本。
因此，功率半导体未来将持续呈现结构性分化：普通6英寸SiC产能或将面临去库存压力，但高良率8英寸SiC仍属稀缺资源；常规硅基功率器件市场竞争白热化，而车规级IGBT、MOSFET及模块封装能力仍具显著壁垒；消费电子与工控市场对价格高度敏感，但AI服务器电源、主驱逆变器、储能PCS及高压快充模块更看重长期可靠性与稳定交付能力；单颗芯片门槛逐步降低，但从芯片→模块→系统级验证的综合门槛却持续抬升。
这正是所谓“一边过剩、一边缺货”的真实写照。
行业不缺产线数量，缺的是客户认可的有效产能；不缺器件供应，缺的是能通过车规认证、适配AI电源架构、并实现长期可靠交付的优质器件；不缺扩产故事，缺的是穿越周期、具备高质量可持续性的订单结构。
结语
综上所述，当前功率半导体领域所经历的，绝非一次简单的周期性回暖，而是一场围绕“有效产能”的价值重构。
在这场变革中，新能源汽车仍是托底的基本盘，AI数据中心则成为最具爆发力的新变量；与此同时，8英寸SiC正重塑成本曲线，高压BCD工艺与先进模块封装技术也在加速补齐系统级短板。
可以说，功率半导体的下半场，名为扩产，实为电气化浪潮下核心基础设施的战略卡位战。
本文来自微信公众号 “半导体行业观察”（ID：icbank），作者：杜芹DQ，36氪经授权发布。
