近日，合肥安海半导体股份有限公司（以下简称“安海半导体”）对外宣布，其自主研发的6.5kv/40mΩ与10kv/130mΩ两款碳化硅（sic）mosfet芯片，已顺利通过浙江大学电气工程学院实验室检测，并获得中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试认证，正式进入规模化量产阶段。目前，两款芯片的制造良率均已超过80%，标志着我国企业在超高压碳化硅器件领域迈入全球第一梯队。
作为第三代半导体材料的关键代表，碳化硅器件凭借其高功率密度、优异的耐压耐温特性以及更低的能量损耗等突出优势，在智能电网、高端工业装备、新能源交通等战略新兴领域展现出不可替代的应用价值。然而，6.5kV及以上等级的超高压SiC MOSFET长期面临工艺复杂度高、缺陷控制难、量产稳定性差等技术瓶颈，成为制约国产高端功率器件自主可控的核心难题。安海半导体依托多年深耕功率半导体的技术积淀，联合产业链上下游协同攻关，成功突破多项关键制程壁垒，成为全球范围内少数实现该类超高压SiC芯片高良率批量交付的企业之一。
??检测数据表明，本次量产的两款芯片在关键性能指标上表现优异，全面覆盖高端电力电子系统对高压、高效、高可靠性的严苛要求。二者均在保持超高击穿电压的同时，实现了极低的导通电阻，为高压直挂式拓扑结构提供了高性能、高集成度的核心开关器件支撑。这一成果将深度重塑多个高技术附加值行业的电力系统架构：在绿色船舶与高速轨道交通领域，可大幅降低牵引变流系统的能量损耗，显著缩减设备体积与重量，加速交通运输体系低碳化升级；在新型配电系统与数据中心供电场景中，作为高压直挂固态变压器的核心开关元件，不仅有力支撑新型电力系统建设，还可简化算力基础设施供电链路，构建高效节能的绿色算力底座；在高压柔性直流输电系统中，单颗芯片即可替代传统多颗IGBT串联方案，器件数量减少逾60%，系统结构更简洁、可靠性更高，助力我国电力装备产业摆脱对进口高压IGBT的路径依赖，走出一条“换道即领跑”的自主创新之路。
??安海半导体董事长黄昕指出，10kV SiC MOSFET芯片实现高良率量产，是我国在该技术方向上从长期“跟跑”迈向全面“领跑”的重要里程碑。公司将持续拓展超高压碳化硅器件的应用深度与广度，加快构建“产学研用”深度融合的创新生态，持续输出高性能、高可靠的功率半导体解决方案，切实服务国家能源转型、新型工业化及科技自立自强等重大战略部署。
??据悉，安海半导体首批10kV碳化硅MOSFET芯片已完成交付。黄昕透露，公司正与多家行业头部终端客户紧密协作，同步推进芯片封装优化、驱动电路适配、系统级可靠性验证等关键技术环节，加速推动该系列产品在船舶电力推进、高铁牵引系统、智算中心供配电及新型智能电网等重点场景的规模化落地应用。（记者 吴蔚）
