本站 8 月 8 日消息,比利时微电子研究中心 imec 当地时间昨日宣布,在其与 ASML 合作的 High NA EUV 光刻实验室首次成功利用 High NA EUV 光刻机曝光了逻辑和 DRAM 的图案结构。在逻辑图案方面,imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构,实现了 9.5nm 密集金属线(本站注:对应 19nm Pitch),将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下:
![imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化](https://img.php.cn/upload/article/000/000/000/172310063685401.png)
▲ 密集金属线。图源 imec,下同不仅如此,imec 实现了中心间距 30nm 的随机通孔,展现了出色的图案保真度和临界尺寸一致性:
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▲ 随机通孔此外,imec 通过 High NA EUV 光刻机构建了 P22nm 间距的二维特征,显示了新一代光刻技术在二维布线方面的潜力:
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▲ 二维特征而在 DRAM 领域,imec 成功利用单次曝光图案化了集成 SNLP(Storage Node Landing Pad)和位线外围的 DRAM 设计,展现了 High NA EUV 减少曝光次数的能力:
![imec 首次成功利用 ASML High NA EUV 光刻机实现逻辑、DRAM 结构图案化](https://img.php.cn/upload/article/000/000/000/172310064527822.png)
▲ DRAM 设计imec 总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 表示:
这些结果证实了 High NA EUV 光刻技术一直以来预测的分辨率能力,一次曝光即可实现 20nm 以下间距的金属层。
因此,High NA EUV 将对逻辑和存储器技术的尺寸扩展起到关键作用,这正是将路线图推向 "埃米时代" 的重要支柱之一。
这些早期演示之所以能够实现,要归功于 ASML-imec 联合实验室的建立,它使我们的合作伙伴能够加速将 High NA 光刻技术引入制造领域。
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