三星正研發 CMM-H 混合儲存模組：透過 CXL 技術同時連接 DRAM 記憶體和 NAND 快閃記憶體

本站 3 月 21 日消息，根據三星半導體微信公眾號發布的中國閃存市場峰會 2024 簡報，其正研發 CMM-H 混合存儲 CXL 模組。 該模組同時包含 DRAM 記憶體和 NAND 快閃記憶體。

本站註：作為一種新型高速互聯技術，CXL 可提供更高的資料吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設備間建立高效連接。

根據三星給出的圖示，此模組可經由CXL 介面直接在快閃記憶體部分和CPU 之間傳輸區塊I / O，也可經由DRAM 快取和CXL 介面實現64 位元組的內存I / O 傳輸。

CMM-H 模組可實現細粒度訪問，降低 TCO，同時也是可能的持久記憶體選項。

根據三星展示的路線圖，其計劃在今年上半年製作一款原型 CMM-H 產品。原型將配備基於 FPGA 的 CXL 1.1 控制器，採用 E3.L 2T 規格，最大容量 4TB，最大頻寬 8GB/s。

展望未來商用量產CMM-H 模組，其基於ASIC 的成熟控制器將支援CXL 3.0 規範，容量最大可選16TB，最大頻寬提升至64GB/s，將於2026 年準備就緒。

此外，在更傳統的CXL-D 純記憶體CXL 儲存模組方面，三星計劃明年第一季出樣128GB 容量的第二代產品，其採用1b nm 製程DRAM 顆粒，速度達6400MT/ s。

明年三星也將豐富第二代 CXL-D 模組產品線，512GB 和 256GB 容量產品隨後跟上。

以上是三星正研發 CMM-H 混合儲存模組：透過 CXL 技術同時連接 DRAM 記憶體和 NAND 快閃記憶體的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！