分析師：美光非揮發性 NVDRAM 記憶體亮點頗多，但不太可能商業化

本站 1 月 29 日消息，美光於 2023 年底在 IEEE IEDM 會議上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非揮發性 DRAM）研發成果。不過根據外媒Blocks & Files 從兩位受訪的產業分析師處得到的消息，這一突破性的新型內存基本上不可能走向商業化量產道路，但其展現的技術進展有望出現在未來記憶體產品之中。

美光的NVDRAM 記憶體基於鐵電性（本站註：具有自發極化，且極化方向可在外加電場下反轉）原理，可在擁有類似NAND 快閃記憶體的非易失性的同時獲得接近DRAM 的高耐久和低延遲。這款新型記憶體採用雙層 3D 堆疊，32Gb 的容量密度創下了鐵電性記憶體的新紀錄。美光已基於 LPDDR5 規範對 NVDRAM 樣品進行了測試，認為其適合嚴苛的 AI 負載。

▲相關論文海報，圖源Egnyte

#不過，兩位受訪的分析師均認為，美光NVDRAM 本身不太可能成為量產產品。

來自Objective Analysis 的分析師Jim Handy 認為，美光的32Gb NVDRAM 有三項重要技術進展：

首次在產品中實現相較現有DRAM 更小的鐵電性電容器；

在垂直通道上引入多晶矽技術；

將被用於3D NAND 生產的CuA（CMOS 陣列下）技術推廣到記憶體領域。

Jim Handy 認為，美光 NVDRAM 在電容器中使用了鋯（Zr）摻雜的氧化鉿（HfO₂）高介電常數材料，可大幅降低記憶體更新率並顯著節省功耗。這項改進也可減少 DRAM 中電容器的體積，進一步提升儲存密度。 上述一系列技術改進使得美光可僅用 48nm 成熟製程就生產出 32Gb NVDRAM。作為對比，三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM，其採用的是 12nm 級工藝，相較美光樣品大幅領先。

不過 Jim Handy 也表示，聽到一些關於該 NVDRAM 不會進入量產階段的暗示。

另一位受訪的分析師是來自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他認為美光在相關項目上投入了大量的時間和精力。而這樣一份詳細的論文出現在 IEDM 會議上，一般只有兩種情況：要麼即將推出產品；要麼產品因未知原因取消。 Mark Web 的結論是，他也不認為這特定版本的產品將會量產。

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