台積電再添「利器」SOT-MRAM 記憶體：功耗僅為類似技術百分之一

本站1 月18 日消息，台積電攜手工業技術研究院（ITRI）在下一代MRAM 記憶體相關技術方面取得突破性進展，成功研發出「自旋軌道力矩式磁性記憶體」（SOT -MRAM），搭載創新運算架構，耗電量僅為類似技術STT-MRAM 的百分之一，成為台積電搶佔AI、高效能運算（HPC）市場的新「殺手鐧」。

業內專家認為，隨著AI、5G時代的到來，各種場景應用都需要更快、更穩定、功耗更低的新一代記憶體。自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等領域都對記憶體技術提出了更高的要求。新一代記憶體的發展將為這些應用帶來更高的效能和更好的使用者體驗。

磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）是一種非揮發性記憶體技術，利用精緻磁性材料，滿足新一代記憶體需求。三星、英特爾、台積電等大廠已投入研發。

台積電目前已成功開發出22奈米、16/12奈米製程的MRAM產品線，並擁有大量記憶體和車用市場訂單。此次推出SOT-MRAM將進一步鞏固台積電在市場中的地位。

台積電宣布新款SOT-MRAM記憶體採用創新的運算架構，並表示其功耗僅為STT-MRAM的1%。此次研發成果領先全球，並在國際電子元件會議（IEDM）上與其他頂尖會議共同發表論文。

STT-MRAM是一種新型的非揮發性磁性隨機記憶體，它是磁性記憶體MRAM的第二代產品。 STT-MRAM的儲存單元核心仍然是一個MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層和一層幾個奈米厚度的非磁性隔離層組成。它利用自旋電流來實現資訊的寫入操作。這種技術的優點在於它具有高速讀寫效能、低功耗和非揮發性的特性。透過自旋電流的作用，STT-MRAM能夠在磁場無需反轉的情況下實現資訊的寫入，從而降低了能耗並提高了記憶體的可靠性。

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