瑞薩電子宣布以 3.39 億美元收購 Transphorm，拓展氮化鎵 GaN 產品佈局

瑞薩電子宣布以每股5.10美元的價格，總額3.39億美元（約24.34億元）收購美國GaN功率半導體供應商Transphorm。這項收購價格較1月10日收盤價溢價約35%。

官方表示，此次收購將使瑞薩獲得GaN內部技術，並進一步擴展其在快速成長市場的業務範圍，包括電動汽車、計算、再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等領域。

GaN技術具有更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸，從而實現更有效率、更輕的結構和更低的總體成本。根據產業研究，每年對GaN的需求預計將成長超過50%。

瑞薩宣布將利用Transphorm的汽車級GaN技術開發新的增強型電源解決方案。其中包括適用於電動車的X-in-1動力總成解決方案，以及其他以計算、能源、工業和消費應用的解決方案。這將進一步推動電動車輛和各行業的能源效率提升和性能增強。

瑞薩電子也指出，隨著全球對高效能電力系統需求的增加，相關產業正逐漸轉向以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶（WBG）材料。為了適應這一趨勢，瑞薩已經建立了一條內部的碳化矽（SiC）生產線，並與供應商簽署了為期10年的碳化矽（SiC）晶圓供應協議。這將有助於滿足市場對高效能電力系統的需求，並推動相關產業的發展。

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