大廠減產保價策略奏效，DRAM / NAND 記憶體晶片 Q4 合約價優於預期

本站11 月29 日消息，雖然雙十一多數終端產品銷售平淡，但在三大原廠（三星、SK 海力士及美光）大幅減產、控制產出的前提下，記憶體晶片現貨漲價趨勢持續，其中NAND 因虧損較嚴重，漲幅較明顯。

根據中國台灣媒體《工商時報》，儲存晶片大廠減產保價策略十分奏效，Q4 合約價報價優於市場預期，其中DDR5 上漲15～20％，DDR4 上漲10～15％，DDR3上漲10％，而原先預估僅5～10％。同時，NAND 每家平均漲幅至少在 20～25％，漲幅明顯更高。

此外，三星在DRAM方面給出了正常的報價，但是在NAND方面暫停了報價，也沒有出貨，最新的報價仍在觀察中

圖源Pexels

根據本站查詢結果，InSpectrum的最新報價顯示，近一週內4Gb和8Gb DDR4記憶體的現貨價格基本上保持不變，但近一個月的價格已上漲了3.03％和1.97％

在NAND Flash 現貨方面，256Gb 週報價基本持平，但和512Gb TLC Flash 上漲4.12％，月報價則分別上漲15.25％和27.78％。

根據TrendForce 分析師的預測，DRAM 的報價在第四季度預計將增長3～8％，而第三季度的跌幅為0～5％；NAND 的報價預計在第四季度將增長8 ～13％，遠高於第三季的跌幅5～10％

儲存模組廠商透露，目前原廠對四季度Flash（閃存）供應主打“拖延戰術”，原先（模組廠）曾在9 月試圖敲定數百萬顆訂單，但原廠遲遲不願放貨，就算願意給貨，數量及價格都無法達到滿意的目標。雖然終端市場需求已進入淡季，但 Flash 現貨市場行情卻處於上游熱、下游冷的特殊狀態，加速 Flash 晶圓各產品全面調漲。儘管短期通路市場庫存積壓，NAND Flash 晶圓漲勢不減反增，主流 512 Gb 現貨價單月調漲約 2 成，站上 2.6 美元。

據報導，三星在第四季DRAM減產幅度高達30％，SK海力士和美光的減產幅度約為20％，而原產對NAND的減產幅度更高。預計三大供應商都將持續減產至2024年中，資本支出和產出將重點放在利潤更高的HBM和DDR5等方面

廣告聲明：本篇內容含有外部連結（包括但不限於超連結、二維碼、口令等形式），旨在提供更多資訊、節省篩選時間，結果僅供參考。請注意，本網站所有文章均包含此聲明

以上是大廠減產保價策略奏效，DRAM / NAND 記憶體晶片 Q4 合約價優於預期的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！