中國領先的快閃記憶體晶片製造商長江儲存在美國提起訴訟，指控美光侵犯其 8 項專利

本站11 月12 日消息，近日，中國最大快閃晶片製造商長江儲存向美國記憶體晶片巨頭美光及其子公司提起專利侵權訴訟，要求法院禁止美光繼續使用長江儲存的多項3D NAND 技術專利，並賠償損失和訴訟費用。長江儲存稱，美光的多款固態硬碟產品涉嫌侵犯了長江儲存的8 項專利，這些專利涉及到3D NAND 記憶體的形成方法、控制方法、直通陣列接觸(TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。

根據本站了解，記憶體晶片主要分為DRAM（動態隨機儲存）和NAND（快閃記憶體）兩類，前者屬於易失性記憶器，即一旦斷電儲存資料立刻流失，一般被用作記憶體輔助CPU（中央處理器）進行計算；後者為非揮發性記憶體，用於儲存資料，用於製造固態硬碟。

長江儲存在起訴書中指出，美光未經授權就使用了長江儲存的專利技術，與其進行市場競爭，以保護自己的市場份額，但未支付合理費用，侵犯了長江儲存的利益，阻礙了其創新動力。起訴書還指控稱，美光在自己的專利文件中引用了長江存儲的相關專利，證明了其對長江存儲的專利組合的重要性，但卻未採取任何實際行動來獲取長江存儲的專利授權

長江儲存也在起訴書中表示，若法院未能就美光侵犯專利下達產品永久禁令，則應制定相關方案，如美光向長江儲存支付專利授權費等。

長江儲存成立於 2016 年 7 月，總部位於湖北武漢，主攻設計、製造 3D NAND 快閃記憶體晶片。長江儲存採用了自研的 Xtacking（晶棧）架構，其在技術上已經追上國外巨頭，在 NAND 領域，長江存儲 2021 年就量產了 128 層 3D 堆疊產品，232 層產品亦開始上量。

美光是一家領先的記憶體晶片公司，與長江儲存在NAND市場上是競爭對手。根據集邦諮詢的數據，在2023年第二季的NAND市場中，美光的市佔率為13%，排名第五。與美光相比，長江儲存在市場規模上存在較大差距

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