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三星計劃明年初量產超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存,號稱層數業內最多

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2023-10-19 12:13:051295瀏覽

本站10 月19 日消息,三星是全球最大的NAND 快閃記憶體供應商,對其V-NAND(即三星稱之為的3D NAND)的發展有著宏大的計劃,本週三星分享了一些相關資訊.該公司證實,其正在按計劃生產擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存,並表示這將是業內層數最多的 3D NAND。

三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,号称层数业内最多

「第九代V-NAND 是基於雙層結構,層數達到業界最高水平,明年初將開始量產。 「三星電子總裁兼記憶體事業部負責人李政培(Lee Jung-Bae)在部落格文章中寫道。

本站注意到,8 月就有消息稱,三星正在研發擁有超過 300 層的第九代 V-NAND,將繼續採用三星在 2020 年首次使用的雙層技術。而且三星現在表示其 3D NAND 的有效層數將超過競爭對手,目前我們知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 將具有 321 層,因此三星第九代 V-NAND 層數應該會更多。

層數的增加將使三星提高其 3D NAND 裝置的儲存密度。該公司預計,未來的快閃記憶體類型不僅會提高儲存密度,還會提高效能。

「三星也正在研究下一代創造價值的技術,包括一種新的結構,可以最大化 V-NAND 的輸入 / 輸出(I / O)速度。」李政培說。

目前還不知道三星的第九代V-NAND 在性能方面會有什麼表現,不過相信該公司會使用這種記憶體來生產其即將推出的固態硬碟,可能會採用PCIe Gen5 接口。

至於更長期的技術創新,三星致力於最小化單元幹擾、降低高度和最大化垂直層數,這將使其能夠實現業內最小的單元尺寸。這些創新將對推動三星實現擁有超過 1000 層的 3D NAND 以及高度差異化的記憶體解決方案的願景起到關鍵作用。

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