英特爾將成為今年首個引進下一代 High-NA EUV 微影機的公司

本站 10 月 2 日消息，英特爾上週表示，它已經開始在價值 185 億美元的愛爾蘭工廠使用 EUV 光刻機進行大規模生產，並稱其為“里程碑時刻”。

英特爾技術開發總經理安・凱勒赫（Ann Kelleher）表示，英特爾計劃在今年首次引入下一代高數值孔徑（High-NA）EUV 光刻機。此前，英特爾曾表示High-NA 技術僅用於設備開發和驗證，併計劃在18A 節點之後正式投入生產

這家美國公司表示，有了High-NA EUV 光刻機，理論上可以在英特爾實現其「四年五代工藝」的路上發揮關鍵作用。

安・凱勒赫表示，他們目前正按計劃實現這一目標，現已完成兩個製造工序，而第三個工序“正在迅速到來”，而且最後兩個工序都取得了非常好的進展。

圖源Pixabay

ASML 執行長Peter Wennink 上個月在接受路透社採訪時表示，儘管供應商出現了一些阻礙，但公司仍會按照先前設定的計劃，在今年年底前交付High NA EUV 機器。

凱勒赫表示，英特爾預計今年稍後將在俄勒岡州收到首批高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV），並且英特爾將成為首個獲得此設備的晶片製造商

ASML 表示，一台High-NA EUV 設備的體積和卡車相當，每台設備超過1.5 億美元（本站備註：目前約10.95 億元人民幣），可滿足各類晶片製造商的需求，可以在未來十年內製造更小、更先進的晶片。

目前，最先進的晶片採用了4/5奈米級製程。下半年，三星和台積電也將能夠量產3奈米技術。對於使用ASML EUV微影技術的Twinscan NXE:3400C及類似系統而言，它們通常具備0.33 NA（數值孔徑）的光學器件，能夠提供13奈米的分辨率

#根據目前的情況來看，對於7nm/6nm節點（36nm~38nm）和5nm（30nm~32nm）的單模來說，這個解析度尺寸已經足夠使用了。但隨著間距低於30nm（超過5nm級的節點）的出現，可能需要採用雙重曝光技術來實現13nm的分辨率，這將成為未來幾年內的主流方法

對於後3nm 時代， ASML 及其合作夥伴正在開發一種全新的EUV 光刻機——Twinscan EXE:5000 系列，該系列機器將具有0.55 NA（高NA）的透鏡，分辨率達8nm，從而在3 nm 及以上節點中盡可能減少工序，降低成本並提供良率。

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