日本研究團隊製造新型碲化鈮材料，可望作為相變記憶體原料降低生產成本

本站9 月5 日消息，日本東北大學的研究人員日前利用濺射技術製造出了碲化鈮（NbTe4）材料，據悉這種材料具有“卓越存儲和熱性能”，有望應用於相變存儲器製造中，從而為業界提供更多原材料選擇，降低相關成本，目前論文已經發布歸檔在onlinelibrary 平台上。

本站經過查詢得知，相變記憶體（PCM）是一種「應用相變材料作為儲存媒體」的記憶體技術，相對於當下的快閃記憶體，相變記憶體透過相變物質的固態、液態轉變來保存資料（快閃記憶體的寫入速度受限於電荷移動速度），因此其讀寫速度更快、儲存密度更高、功耗更低、並且尺寸可以做到更小，但製造相變記憶體媒體的成本過高，目前相變記憶體還停留在企業級階段，尚未下放到家庭市場。

▲ 圖源  onlinelibrary 平台相關論文

研究人員使用濺射技術製造材料，據悉「濺射是一種廣泛使用的技術，該技術主要是將材料薄膜沉積到基底上，從而實現對薄膜厚度和成分的精確控制」。研究人員在 272 ºC 以上的溫度，退火形成碲化鈮（NbTe4）結晶，這種材料具有約 447 ºC 的超低熔點，因此物理上相對穩定，適合製造相變記憶體。

▲ 圖源  onlinelibrary 平台相關論文

研究人員對該晶體進行了評估，據稱與傳統的相變記憶體化合物相比，碲化鈮（NbTe4）結晶的熱穩定性較高，而結晶轉換為液態的速度也相當快（約為30 奈秒），凸顯了其作為相變記憶體的原料的潛力。

東北大學材料科學高等研究所助理教授Shuang 聲稱：「我們為開發高性能相變記憶體開闢了新的可能性，NbTe4 具有低熔點、高結晶溫度和優異的轉換性能，是解決目前相變記憶體所面臨成本挑戰的『理想材料之一』。」

廣告聲明：文內含有的對外跳躍連結（包括不限於超連結、二維碼、口令等形式），用於傳遞更多信息，節省甄選時間，結果僅供參考，本站所有文章均包含本聲明。

以上是日本研究團隊製造新型碲化鈮材料，可望作為相變記憶體原料降低生產成本的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章！