華碩發表 NitroPath DRAM 記憶體插槽技術，頻率可提升至多 400MT/s

本站 8 月 21 日消息，隨著 ROG、ROG Strix X870 (E) 主機板的發布，華碩也一道推出了 NitroPath DRAM 技術。該技術可為高階 DDR5 記憶體主機板提供更強大的記憶體效能。

華碩表示，NitroPath DRAM 技術透過其獨特的佈局佈線提高記憶體速度。這種尖端設計透過縮短金手指引腳和優化主機板內的訊號通路來減少噪音幹擾。

訊號傳輸更流暢、噪音和反射更少，意味著用戶可在採用 NitroPath DRAM 的主機板上實現更高的記憶體頻率，最多可達額外 400MT/s。另外這項設計即使在嚴苛負載下也能提升系統穩定性。

不僅如此，NitroPath DRAM 也提升了插槽牢固程度，使內存槽擁有更優秀的抗側向力能力和保持力、更抗內存安裝過程產生的磨損，這對需要升級或更換記憶體條的發燒友而言具有明顯價值。

本站獲悉，華碩在ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 兩款主機板上率先引進了 NitroPath DRAM 技術。

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