首頁  >  文章  >  手機教學  >  海力士搶先展示UFS 4.1快閃記憶體:以V9 TLC NAND顆粒打造

海力士搶先展示UFS 4.1快閃記憶體:以V9 TLC NAND顆粒打造

王林
王林原創
2024-08-09 15:33:32582瀏覽

8月9日訊息,在FMS 2024高峰會上,SK海力士展示了其最新的儲存產品,包括尚未正式發布規範的UFS 4.1通用快閃記憶體。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

據JEDEC固態技術協會官網信息,目前公佈的最新UFS規範是2022年8月的UFS 4.0,其理論接口速度高達46.4Gbps,預計UFS 4.1將在傳輸速率上實現進一步的提升。

海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

1. 海力士展示了 512GB 和 1TB UFS 4.1 通用快閃記憶體產品,基於 321 層 V9 1Tb TLC NAND 快閃記憶體。
  1. SK 海力士也展出了 3.2Gbps V9 2Tb QLC 和 3.6Gbps V9H 1Tb TLC 顆粒。
  2. 海力士展示了基於 V7 512Gb TLC NAND 的 ZUFS(分區 UFS,Zoned UFS)樣品,提供 512GB 和 1TB 容量。 ZUFS 4.0 預計將於今年第三季量產。
  3. UFS 4.1 通用快閃記憶體的推出將提升智慧型手機和行動裝置效能。

    海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造

以上是海力士搶先展示UFS 4.1快閃記憶體:以V9 TLC NAND顆粒打造的詳細內容。更多資訊請關注PHP中文網其他相關文章!

陳述:
本文內容由網友自願投稿,版權歸原作者所有。本站不承擔相應的法律責任。如發現涉嫌抄襲或侵權的內容,請聯絡admin@php.cn