消息指出三星電子 8 層堆疊 HBM3E 記憶體尚未正式通過英偉達驗證

本站 5 月 13 日消息，韓媒 AlphaBiz 報告稱，三星電子的 8 層堆疊（8Hi）HBM3E 內存尚未正式通過英偉達的測試，​​仍需進一步驗證。

台積電不僅向英偉達提供先進 AI GPU 的代工，同時還負責 AI GPU 同 HBM 內存間的 CoWoS 先進封裝，因此也是英偉達驗證審核過程的重要參與者。

一位熟悉三星電子與英偉達間供應關係的消息人士向韓媒表示，三星電子 8Hi HBM3E 的驗證流程就是卡在台積電審批環節。

這位消息人士宣稱，三星產品未能通過測試的主要原因是台積電在檢測中「採用了基於 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準」。

三星電子同SK 海力士在HBM3E 記憶體的製程上有不少差異，例如前者採用TC-NCF （本站註：熱壓非導電薄膜）鍵合，後者採用MR-RUF（批量回流模製底部填充），這必然會在一定程度上影響參數。

消息人士認為，如果針對三星電子產品的檢測標準有所調整，那麼三星 HBM3E 記憶體透過英偉達的供應測試「不成問題」。

三星電子早期表示其 8Hi HBM3E 記憶體已於上月進入量產階段，12Hi HBM3E 的量產也將在本季達成。

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