키옥시아, 스토리지급 메모리 사업 재편 위해 2031년 1000단 낸드플래시 출시 목표

Nikkei xTECH에 따르면 Kioxia CTO Miyajima Hideshi는 최근 일본 응용물리학회 제71회 봄 학술 강의에서 회사가 2030~2031년에 1000단 3D NAND 플래시 메모리 출시를 목표로 하고 있으며, The Storage Class를 목표로 하고 있다고 밝혔습니다. 메모리(SCM) 사업이 개편되었습니다.

Kiaoxia와 Western Digital은 NAND 플래시 메모리 기술을 개발하기 위해 협력하고 있습니다. 현재 파트너의 가장 진보된 제품은 218단 적층 BICS8 3D 플래시 메모리입니다. BICS8 플래시 메모리는 3200MT/s의 I/O 속도를 달성할 수 있습니다.

2022년 또 다른 주요 NAND 회사도 Technology Day에서 비슷한 견해를 보였습니다. 2030년에는 1000단 적층 3D 낸드 스토리지를 달성할 계획이다.

단일 3D NAND 플래시 메모리 입자의 용량을 늘리는 주요 방법은 적층 수를 늘리는 것입니다. 그러나 층수가 증가함에 따라 플래시 메모리 입자의 수직 채널을 에칭하는 어려움은 종횡비가 증가함에 따라 점차 증가합니다. 높은 난이도와 낮은 수율 외에도 고종횡비 에칭은 시간과 비용이 많이 드는 공정입니다. 현재 각 에칭에는 약 1시간이 소요됩니다. NAND 공장이 생산 능력을 늘리려면 더 많은 에칭 기계를 구입해야 합니다. 기계.

따라서

KioXia는 BICS8에서 듀얼 스택 프로세스

를 사용하여 두 NAND 스택의 수직 채널 식각을 개별적으로 달성합니다. 이 동작으로 인해 듀얼 스택 간 통과의 어려움이 증가하지만 전반적으로 여전히 난이도가 감소합니다. 1000단 적층 낸드플래시 메모리는 앞으로 더 많은 낸드 스택을 탑재할 것으로 예상된다.

또한 미야지마 히데시는 NAND와 DRAM을 모두 운영하는 경쟁사에 비해

Kioxia는 사업 풍부성 측면에서 경쟁 열세에 있기 때문에 스토리지급 메모리 등 새로운 스토리지 제품 사업 육성이 필요하다고 말했습니다( SCM)

. CTO는 AI 붐 속에서 DRAM과 NAND의 성능 격차가 벌어지고 있는데 SCM이 이 격차를 메울 수 있다고 밝혔습니다.

KioXia는 지난 4월 1일 기존 '메모리기술연구소'를 '첨단기술연구소'로 개편하였습니다. SCM 연구는 2~3년 내 출하가 예상되는 MRAM, FeRAM, ReRAM 등 신규 메모리에 집중할 예정이다.

이 사이트의 보고서를 참조하면 Kioxia는 이전에 SCM 분야의 XL-FLASH 플래시 메모리 솔루션에 중점을 두었습니다. 회사는 2022년 MLC 모드를 지원하는 2세대 XL-FLASH를 출시했습니다.

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