Baiwei Storage의 웨이퍼 수준 고급 패키징, 테스트 및 제조 프로젝트가 둥관 송산 호수에 상륙했으며 UFS 3.1 플래시 메모리를 출시했습니다.

12월 1일 본 웹사이트의 소식에 따르면 최근 심천바이웨이스토리지기술유한회사의 웨이퍼 레벨 첨단 패키징 및 테스트 제조 프로젝트가 동관 송산호 하이테크 산업 개발구에 공식적으로 상륙하고 조인식을 가졌다고 합니다. 동관시에서 성공적으로 개최되었습니다.

보고서에 따르면 웨이퍼 레벨 고급 패키징 및 테스트는 포토리소그래피, 에칭, 전기 도금, PVD, CVD, CMP, 스트립 등을 사용하는 프런트엔드 웨이퍼 제조와 백엔드 패키징 테스트 사이의 중간 단계 반도체 제조 프로세스입니다. 범핑, 재배선(RDL), 팬인(Fan-in), 팬아웃(Fan-out), 실리콘 비아(TSV) 및 기타 공정 기술을 구현하는 프런트엔드 웨이퍼 제조 공정은 칩은 웨이퍼에 직접 패키징되어 물리적 공간을 절약하며 동일한 웨이퍼에 여러 칩을 통합하여 더 높은 통합을 달성할 수도 있습니다.

Baiwei Storage는 웨이퍼 수준의 고급 패키징 및 테스트 프로젝트를 구현하면 회사 제품이 더 큰 대역폭, 더 빠른 속도, 더 유연한 이종 통합 및 더 낮은 에너지 소비를 달성하고 모바일 가전 제품, 응용 분야의 고급 고객에게 힘을 실어주는 데 도움이 될 것이라고 밝혔습니다. 슈퍼컴퓨팅, 게임, 인공지능, 사물인터넷 등이 대표적이다.

Baiwei Storage는 또한 회사가

16개 적층 다이, 30~40μm 초박형 다이, 멀티 칩 이종 통합 및 기타 고급 패키징 프로세스를 마스터하여 NAND, DRAM 칩에 혁신과 대규모 볼륨을 제공했다고 밝혔습니다. 및 SiP 패키징 제품 지원.

Shenzhen Baiwei Storage Technology Co., Ltd.는 2010년에 설립되었으며 메모리 칩의 연구 개발, 패키징, 테스트 및 제조에 중점을 두고 있습니다. 이 회사는 국가 하이테크 기업 및 특수 신생 중소기업으로 인정을 받았으며 대규모 국가 기금으로부터 전략적 투자를 받았습니다

이 사이트의 이전 보고서에 따르면 Baiwei는 UFS 3.1 고속 플래시 메모리를 출시했습니다. , 이전 세대 범용 플래시 스토리지보다 4배 이상 향상된 최대 1800MB/s의 쓰기 속도,

읽기 속도 최대 2100MB/s, 최대 용량 256GB(512GB, 1TB 용량 출시 예정) 미래), 크기 11.5×13.0×1.0mm, 플래그십 스마트폰 제품에 사용됩니다.

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