고속 충전 헤드는 '양배추 가격'이 될 것으로 예상, 일본 기업 신기술로 질화갈륨 반도체 소재 원가 90% 절감

9월 5일자 본 사이트의 소식에 따르면, 일본 최대의 반도체 웨이퍼 회사인 신에츠화학공업과 ATM 및 통신장비 분야의 OKI컴퍼니가 최근 저비용의 전력 제조 기술을 개발했다고 발표했습니다. 질화갈륨(GaN) 소재 기술을 이용한 반도체 .

보고서에 따르면 이 기술은 제조 비용을 기존 제조 방법의 10분의 1 미만으로 줄일 수 있다고 합니다. 양산이 가능하다면 급속충전기 등 장비의 대중화에 도움이 될 것으로 보인다.

이 사이트는 공식 보도 자료를 통해 신에츠 화학공업과 OKI가 개발한 신기술로 고유한 QST 기판에 갈륨 계열 가스를 분사하여 결정을 성장시킬 수 있다는 사실을 알게 되었습니다. Shin-Etsu Chemical Industry의 두꺼운 결정 기술과 OKI의 접합 기술이 결합되어 기판에서 결정만 벗겨집니다. 결정은 다른 기판 위에 배치되어 전력 반도체용 웨이퍼로 사용됩니다.

▲ 사진 출처 OKI

신에츠화학공업은 GaN 기판에 GaN 결정을 성장시키는 방법은 제조 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라, 수율이 낮고 비용도 높다고 밝혔다. 새로운 제조 방법으로 크리스탈을 효율적으로 제조하고 비용을 90% 절감할 수 있습니다. 실리콘 기판 위에 GaN 결정을 성장시키는 방법에 비해 기판과 결정 사이에 절연층이 필요하지 않습니다. 크리스탈 필름이 두꺼워지면 20배의 전류를 흘릴 수 있습니다.

신에츠화학공업은 이 기술로 6인치 웨이퍼 제조가 가능하다고 밝혔으며, 2025년에는 8인치로 늘릴 계획이다. 향후 반도체에 기술을 파는 등 사업모델도 검토할 예정이다. 제조업 자.

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