삼성전자, 에너지 절약 위해 전력 소비 23% 낮춘 12nm DDR5 DRAM 출시

5월 18일 뉴스에 따르면, 삼성은 오늘 12nm 공정을 사용하여 DDR5 양산을 시작했다고 발표했습니다. DRAM 칩은 삼성이 지난해 12월 16Gb DDR5 DRAM 개발을 처음 발표한 이후 중요한 발전입니다.

삼성 보도 자료에 따르면 차세대 DDR5 칩은 이전 세대에 비해 전력 소비가 23% 감소하고 웨이퍼 생산성이 20% 향상되었습니다. 새로운 세대의 칩은 이전 세대보다 전력 효율적이며 단일 웨이퍼로 더 많은 칩을 생산할 수 있어 생산 효율성이 향상됩니다.

이 12nm 공정 DDR5 DRAM 칩의 최대 속도는 7.2Gbps로 초당 60GB의 데이터를 처리할 수 있는 수준입니다. ITBEAR 기술 정보에 따르면 이를 통해 칩은 데이터 센터, 인공 지능 및 새로운 컴퓨팅 애플리케이션의 요구 사항을 충족할 수 있습니다.

삼성은 16GB DDR5라고 말했습니다. DRAM의 낮은 전력 소비로 인해 서버 및 데이터 센터 운영자는 에너지 소비와 탄소 배출량을 줄일 수 있습니다. 또한 이 칩은 새로운 유형의 High-K 재료를 사용하여 칩이 데이터 신호의 차이를 정확하게 구별할 수 있게 하여 12nm 노드 제조를 달성합니다.

이러한 일련의 혁신과 혁신은 메모리 칩 분야에서 삼성의 선도적 위치를 더욱 공고히 할 것입니다. 삼성은 이미 12nm 공정을 사용해 DDR5를 양산하고 있습니다. DRAM에서는 데이터 처리의 고속 및 효율성을 위한 더욱 안정적이고 진보된 솔루션을 제공하는 중요한 단계가 이루어졌습니다. 스토리지에 대한 시장의 수요가 지속적으로 증가함에 따라 삼성의 차세대 DDR5 DRAM 칩은 데이터센터와 컴퓨팅에서 중요한 역할을 하며 산업 발전에 기여할 것입니다.

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