소식통에 따르면 삼성전자는 에너지 효율성 경쟁력 제고를 위해 HBM4 메모리에 1c나노 공정 D램을 적용하는 방안을 검토 중이다.

5월 17일 이 웹사이트의 뉴스에 따르면, 한국 언론 ZDNet Korea는 오늘 삼성전자가 제품의 에너지 효율성을 향상시키기 위해 HBM4 메모리에 1c nm 공정(6세대 10+nm 수준) DRAM 다이를 사용하는 것을 고려하고 있다고 보도했습니다. .다른 측면에서의 경쟁력.

삼성전자 관계자는 올해 초 업계 컨퍼런스 Memcon 2024에서 올해 말까지 1c nm 공정 양산을 달성할 계획이라고 밝혔으며, HBM4에 관해서는 삼성전자가 개발을 완료할 것으로 예상하고 있다. 내년에는 새로운 AI 메모리 양산이 이뤄질 예정이다.

현재 양산 중인 HBM3E에서는 삼성은 경쟁사인 SK하이닉스, 마이크론처럼 1b nm 공정 DRAM 다이를 사용하지 않고 여전히 1a nm 입자를 사용하므로 에너지 측면에서 불리합니다. 소비.

이것은 삼성이 내부적으로 HBM4에 1c nm DRAM 입자 도입을 고려하는 중요한 이유라고 소식통은 믿고 있습니다.

이 사이트에서는 동일한 프로세스 노드의 첫 번째 DRAM 제품이 일반적으로 데스크톱 및 모바일 시장을 위한 표준 DDR/LPDDR 제품이라는 것을 알게 되었습니다. 새로운 프로세스는 고부가가치 및 저수율 HBM에 도입된 후에만 가능합니다. 성숙해.

또한 소식통은 삼성전자 HBM 사업 관련 임원 및 실무그룹도 AI 프로세서 제조사의 요구에 부응하기 위해 HBM4의 개발 기간을 동시에 단축할 계획이라고 전했다. 그러나 이는더 큰 수익률 위험을 가져올 수 밖에 없습니다.

현재 HBM 메모리 분야의 선두주자인 SK하이닉스는 HBM4E에 1c nm 공정 입자를 도입하겠다는 의사를 밝혔지만, HBM4 메모리가 어떤 DRAM 공정을 사용할지는 아직 공식적으로 확정하지 않았습니다.

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