Apple は TLC の代わりに QLC フラッシュ メモリを使用することでコストを削減しますが、寿命とパフォーマンスは低下します

1 月 17 日のニュースによると、Apple のアップグレードはますますわかりにくくなり、iPhone 16 シリーズでは低速の QLC フラッシュ メモリが使用されるとのことです。

サプライチェーンからの最新ニュースによると、Appleはストレージ容量を変更し、3層セル(TLC) NANDフラッシュメモリを使用しなくなり、ストレージ搭載モデルでは4層セル(QLC)を使用する可能性があります。容量1TB以上）NAND型フラッシュメモリ。

TLC と比較した場合、QLC の利点は、各ストレージ ユニットが 4 ビットのデータを保存できることです。同じ数のユニットを使用する場合、TLC よりも多くのデータを保存したり、より少ないユニットを使用してより多くのデータを保存したりできます。生産コストを削減できます。

さらに、QLC フラッシュ メモリは TLC フラッシュ メモリよりも信頼性が低いと考えられており、各セルに含まれるビットが 1 つ多いため各セルに書き込まれる回数が増えるため、書き込まれるデータの耐久性が低下します。

QLC NAND フラッシュ メモリは 16 の異なる電荷レベルを保存できますが、TLC は 8 つの電荷レベルしか保存できません。データを読み出す際、電荷量が増加するとマージンが減少し、ノイズの増加によりビットエラーが増加する可能性があります。

Apple がこの計画を継続した場合、iPhone 16 の一部のバージョンのユーザーは、低容量のユーザーよりもデータの書き込み速度が遅くなる可能性があります。

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