SKハイニックス、無錫工場を改修して第4世代DRAM製品を発売

このサイトのニュース 1 月 16 日、韓国メディア「ソウル経済新聞」によると、SK ハイニックスは無錫 C2 工場の改造を 2024 年までに完了し、## 改造して第 4 世代にアップグレードする予定であると報じました ( 1a) 10nmレベルに達するD-ramプロセス。

##無錫工場はSKハイニックスの中核生産拠点です。 D-RAM総生産量の約40％を占める。同工場は現在、旧製品ラインに属する10ナノメートル後半レベルの第2世代(1y)と第3世代(1z)のD-RAMを生産している。

情報筋によると、SKハイニックスは無錫工場で第4世代D-RAMプロセスの一部を完了し、ウェーハを無錫工場に輸送する計画だという。無錫工場：韓国本社の利川公園内でEUVにより加工され、無錫工場に戻されます。

第 4 世代製品では EUV 処理が必要な D-RAM 層は 1 つだけであるため、同社はコストの増加にはそれだけの価値があると明らかに考えています。 2013 年の無錫工場火災の際、当社は D-RAM の生産中断という困難を乗り越え、豊富な経験を蓄積しました。

無錫工場の工程転換に関してSKハイニックスは、同社の具体的な工場運営計画は確認できないと述べた。

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