歩留まりは50％超え、世界第3位のシリコンウェーハ工場、グローバルシリコンが来年8インチSiCを試作へ

本サイトの 10 月 27 日のニュースによると、世界第 3 位のシリコンウェーハメーカーであるグローバルウェーファーズの徐秀蘭会長は、同社は炭化ケイ素 (SiC) ウェーハの量産における多くの技術的困難を克服し、すでにSiCウェーハを8インチに押し上げ、主要な国際メーカーと歩調を合わせています。

Xu Xiulan 氏は、8 インチ SiC 製品の小ロット出荷は 2024 年の第 4 四半期に始まり、2025 年には大幅に増加し、2026 年までに 6 インチ以上のウエハを占めるようになると予測しています。

Global Wafer は、現在 8 インチ ウェーハの歩留まりを適切に制御できており、

は 50% を超えており、さらなる改善の余地があると述べています。来年上半期のサンプルです。

このサイトは、Xu Xiulan 氏が顧客全員が Global Wafer が 6 インチから 8 インチへの移行を教えてくれることを望んでいると言ったとのレポートから知りました。 SiCの量産、主に自動車分野の顧客です。

Global Wafer は、材料の品質管理を強化し、結晶成長コストを削減する、専用の炭化ケイ素結晶成長炉 (結晶成長炉) を設計、開発しました。

SiC は硬度が高く脆いため、ウェーハの加工が困難ですが、Global Wafer はより高いプロセス精度とより効率的なウェーハハンドリング方法を使用して、極薄 SiC ウェーハの加工を実現しています。

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