HBM3Eメモリ需要を満たすために10億nm DRAMの生産能力を増強、関係者によるとSK HynixはM16ファブをアップグレード中

6月17日のこのウェブサイトのニュースによると、韓国メディアThe Elecによると、SK HynixはHBM3Eメモリの需要を満たすために10億nmプロセスのDRAMメモリの生産能力を大幅に増強する計画だという。

HBMメモリは標準メモリよりもはるかに多くのDRAMダイを消費するため、SK Hynixの1b nmプロセスDRAM生産能力のさらなる拡大は、現在のHBMメモリ不足をある程度緩和するのに役立ちます。

SKハイニックスは、今年末までに10億nmメモリーウェーハの生産量を9万枚に増やし、来年上半期にはさらに14万〜15万枚に増やすことを目標としている。

この目的のために、SKハイニックスは京畿道利川市にあるM16メモリウェーハ工場を10億nmプロセスにアップグレードする予定です。

M16 は現在 1y nm DRAM メモリを生産しています。 10億nmへの完全な切り替えにより、SKハイニックスの1y nm生産能力は現在の12万枚/月から5万枚に低下すると予想されている。

韓国メディアは、半導体装置業界筋の話として、SKハイニックスがM16ウェーハ製造工場の装置の移動と改造に関する要件を提示し、必要なコア蒸着、フォトリソグラフィー、エッチング装置のみを導入する計画を伝えたと伝えた。

関係者らによると、SKハイニックスの追加投資はまだストレージ業界の前回の谷期の影響を受けており、全体的な意思決定プロセスは非常に慎重だが、現在の関連受注の伸びは上流設備の当初の予想を上回っているメーカー。

このサイトは4月、SKハイニックスが2025年11月にM15X DRAMメモリ工場の建設を完了する予定であると報じた。韓国メディアは、関連機器の注文が2025年初頭に開始される予定であると述べました

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