Samsung、BM1743 データセンターグレード SSD を発表: v7 QLC V-NAND を搭載し、PCIe 5.0 をサポート

6 月 18 日のこのサイトのニュースによると、Samsung Semiconductor は最近、最新の QLC フラッシュ メモリ (v7) を搭載した次世代データセンター グレードのソリッド ステート ドライブ BM1743 をテクノロジー ブログで紹介しました。

▲ Samsung QLC データセンターグレードのソリッドステートドライブ BM1743

4月のTrendForceによると、QLCデータセンターグレードのソリッドステートドライブの分野では、SamsungとSK HynixのSolidigmのみが深く開発されています。長年この分野に携わっており、その時点で承認を通過しました エンタープライズ顧客の検証。

前世代の v5 QLC V-NAND (このサイトの注: Samsung v6 V-NAND には QLC 製品がありません) と比較して、Samsung v7 QLC V-NAND フラッシュ メモリは積層数がほぼ 2 倍になり、ストレージが増加しました。密度も大幅に向上しました。

同時に、v7 QLC V-NAND のシーケンシャル読み取りおよび書き込みパフォーマンスは以前のものの少なくとも 2 倍になり、ランダム読み取り速度は 4 倍に達します。

これは、BM1743 が v5 QLC V-NAND ベースの前世代のデータセンター QLC SSD BM1733a よりもはるかに多くの容量とパフォーマンスを提供でき、より優れたストレージを求めるデータセンターのニーズを満たせることを意味します。

BM1743 には、U.2 と E3.S の 2 つのフォーム ファクターが含まれています。U.2 バージョンは PCIe 4.0 をサポートし、最大 61.44 TB の容量を持ち、さらに 122.88 TB まで拡張できる可能性があります。 E3.S バージョンは PCIe 5.0 をサポートできます。

比較のために、BM1733a は PCIe 3.0 のみをサポートし、最大容量は 61.44TB の 4 分の 1 である 15.36TB のみです。

信頼性の点では、BM1743の書き込み耐久性は0.26DWPD、電源オフ時のデータ保持時間は3か月、BM1733aの2つのデータはそれぞれ0.18DWPDと1か月です。

BM1743 の 2.5 インチ U.2 バージョンの具体的なパフォーマンスは次のとおりです:

シーケンシャル読み取り	シーケンシャル書き込み	ランダム読み取り	ランダム書き込み
7200 MB/秒	200 0MB/秒	1600K IOPS	110K IOPS

Samsung Semiconductor は、ユーザーは BM1743 を既存の PCIe 3.0 環境で直接使用して、より低い TCO コストを享受できると述べています

BM1743 の PCIe サポートも最大限に活用できます。 4.0. この改善により、読み取りタスクの応答時間が短縮され、AI 負荷処理能力が向上します。

BM1743 E3.S バージョンの PCIe 5.0 サポートにより、データセンターに大きなパフォーマンス上の利点がもたらされます。

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