SK ハイニックス、前世代の 1.4 倍の帯域幅を備えた HBM4E メモリを早ければ 2026 年に発売すると発表

5月14日の本サイトのニュースによると、HBMの責任者であるキム・グウィク氏は最近、公式発表の中で、業界の現在のHBM技術は新たなレベルに達していると主張した 業界の需要がSKハイニックスの加速を促している。 HBM4E メモリの場合、関連するメモリ帯域幅は HBM4 の 1.4 倍になります。

このサイトの以前のレポートによると、HBM4E に加えて、SK Hynix は 12 層 DRAM スタッキングを使用した HBM4 製品の最初のバッチを 2025 年後半に発売する予定であると報告されています。レイヤースタック型 HBM は 2026 年後半に発売される予定です。

HBM4 / HBM4E の開発「加速プロセス」は、間違いなく、AI 分野の巨人による高性能メモリに対する強い需要を示しています。ますます強力になる AI プロセッサには、より高いメモリ帯域幅の支援が必要です。

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