Des sources affirment que la mémoire HBM3E empilée à 8 couches de Samsung Electronics n'a pas encore été officiellement vérifiée par NVIDIA.

Selon les informations de ce site du 13 mai, le média coréen AlphaBiz a rapporté que la mémoire HBM3E empilée à 8 couches (8Hi) de Samsung Electronics n'a pas officiellement réussi le test de NVIDIA et doit encore être vérifiée davantage.

TSMC fournit non seulement une fabrication avancée de GPU AI à NVIDIA, mais est également responsable du packaging avancé CoWoS entre le GPU AI et la mémoire HBM, il est donc également un participant important dans le processus de vérification et d'examen de NVIDIA.

Une source proche de la relation d'approvisionnement entre Samsung Electronics et NVIDIA a déclaré aux médias coréens que le processus de vérification du Samsung Electronics 8Hi HBM3E est coincé dans le processus d'approbation TSMC.

La source a affirmé que la principale raison pour laquelle les produits Samsung n'ont pas réussi le test est que TSMC "a adopté des normes de test basées sur les produits HBM3E de SK Hynix" lors des tests.

Il existe de nombreuses différences dans le processus de fabrication de la mémoire HBM3E entre Samsung Electronics et SK Hynix. Par exemple, le premier utilise la liaison TC-NCF (note sur ce site : film non conducteur pressé à chaud), tandis que le second utilise. MR-RUF (sous-remplissage moulé par refusion par lots), ce qui affectera inévitablement les paramètres dans une certaine mesure.

Des sources estiment que si les normes de test pour les produits électroniques Samsung sont ajustées, ce ne sera "pas un problème" pour la mémoire Samsung HBM3E de réussir le test d'approvisionnement de Nvidia.

Samsung Electronics a déclaré plus tôt que sa mémoire 8Hi HBM3E était entrée en production de masse le mois dernier et que la production en série de 12Hi HBM3E serait également réalisée ce trimestre.

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